[参考译文] LM5118-Q1：12Vin 至14Vout 无法提供超过6A 的输出电流

您好、先生、

当开关频率为300kHz 时、我的客户效率很低、因此我们建议将开关频率修改为220kHz。

当开关频率为300kHz、使用5A 负载时、效率约为71%；在220khz、使用5A 负载时、效率约为80%。

您能否同时检查 Q2和 Q4晶体管上的压降、并检查其中一个 FET 是否过热。 =>客户告知 L1在使用6A 负载时在100C 以上会过热。 (在不同频率下获得相同的结果)

您好、Henry、

您能不能与大家分享您已经如上所述捕获的一些波形。

此外、共享原理图也是不错的。

此致、

 Stefan

您好、先生、

我在总结报告中提供了所有波形。 您是否需要我们检查哪些波形？ 我们可以这么做。

我们发现了下图中显示的一些问题。

为什么低侧(Q3) MOSFET 栅极功率为5V？ 高侧(Q1) MOSFET 栅极功率为10V？

为什么低侧(Q3) MOSFET 栅极具有尖峰？

LM5118-Q1原理图文件： e2e.ti.com/.../8764.LM5118.pdf

您好、Henry、

您的信息是正确的-此回复适用于另一个主题。

在波形上、可以在 Q3g 信号上看到较大的干扰。  
我假设这是 FET 的栅极信号-您能否确认。

您是否还可以将该信号与 LM5118 (HO)的输出信号一起探测。

如果您查看 LM5113的数据表、您可以看到低栅极驱动器的源极(原理图中的 Q3g)是 LM5113 (LMVCC)的电源-该电压应为7V。

高侧驱动器的输出由电荷泵生成(具有 LM5113的 HB 和 HS 引脚)。
要正确打开高侧 FET、高电平需要高于 FET 的漏极-最小为米勒平坦区+加上一些裕度(我想说3.5V - 4.0V)-您是否也可以检查这一点。

我还不清楚电感器是变热还是 MOSFET 变热、而电感器是您要感应的组件。
您是否制作了热像仪(使用热像仪拍照)、以了解电路板上最热的组件是什么？

此致、

 Stefan

您好、先生、

在波形上、可以在 Q3g 信号上看到较大的干扰。  
我假设这是 FET 的栅极信号-您能否确认。

您是否还可以将该信号与 LM5118 (HO)的输出信号一起探测

=>请参阅随附的文件。

e2e.ti.com/.../LM5118_5F00_Q1Q3-waveforms.docx

您还可以检查电感器规格、它是否可用于4开关转换？

HFMPD1512-100mA 数据表： e2e.ti.com/.../7674.HFMPD1512_2D00_100MA.pdf

您好、Henry、

对于12V 的输入电压、变压器是可以的。  

要完全确认、您能否给出系统应该工作的完整输入电压范围？

我仍然不确定 G3q 上的尖峰是真的存在、还是只是从探针拾取。 您如何测量该值？ 探针的接地连接时间有多长？ 您是否使用了尖头和桶形探头设置？

您还能告诉我在哪个负载条件下绘制了此示波器图吗(这是12V 输入和10A 负载)

FET 开关的顺序(无尖峰)看起来正常。

以前的问题：

高侧驱动器的输出由电荷泵生成(具有 LM5113的 HB 和 HS 引脚)。
要正确打开高侧 FET、高电平需要高于 FET 的漏极-最小为米勒平坦区+加上一些裕度(我想说3.5V - 4.0V)-您是否也可以检查这一点。

我还不清楚电感器是变热还是 MOSFET 变热、而电感器是您要感应的组件。
您是否制作了热像仪(使用热像仪拍照)、以了解电路板上最热的组件是什么？

此致、

 Stefan