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器件型号：BQ76940 BQ76940 - circuite2e.ti.com/.../13S-BMS-REV_2D00_2-INTEGRATED_2D00_1.pdf 短路期间的 MOSFET 故障
测试设置：
1.蓄电池规格- 26 Ah，54 V 已充满电的蓄电池
2. SC 阈值- 111mV @ 50us SC 延迟
分流电阻- 1m Ω
在 Battery+和 L-/C-之间放置一个开关、以导致短路。
问题-在短路情况下、放电 MOSFET 出现故障。
注意：我们在 SC 条件下(CHG = 0和 DSG)将两个 FET 都设置为关闭
在 SCD 条件下、MOSFET 需要500us 的关闭时间。 这种延迟是否会导致 FET 脱离 SOA、从而可能导致 FET 发生故障？
此外、我们如何估算不同容量电池组的 SCD 阈值？
MOSFET 规格如下：
1. HY4008B N 沟道增强 MOSFET
VDSS 漏源电压80V
VGSS 栅源电压±25V
4. TJ 最大结温175°C
5：二极管持续正向电流@Tc=25°C 200A
6. Id 持续漏极电流200A
7. RDS (ON)漏源导通状态电阻@ VGS=10V & IDS=100A -典型值2.9、最大值3.5毫欧
8. VGS 阈值- 2V 至4V
如何计算栅极电阻器的值。 目前、我们使用的是1k 电阻器。
原理图随附。
