[参考译文] TPS61202：效率很低

您好、多哥、

感谢您联系 E2E。

请仔细检查 PS 引脚是否对地短路。

此外、您能否获取 Vin、SW、Vout 和 Il 的波形？

如何测试电压和电流值？ 您是否从电源和电子负载中读取过它们、或连接到数字万用表？

此致、

布莱斯

您好、Bryce、

感谢您的回复。   
请检查以下答案。

PS 引脚短接至 GND。

我通过连接数字万用表读取电流值。

此致多哥

您是否要检查随附的 waveformse2e.ti.com/.../Waveform-of-TPS61202.xlsx 文件

您好、多哥、

您的输入电源是什么？ 当器件开始开关时、输入电压纹波非常大。 您还能探测电感器电流吗？

此致、

布莱斯

大家好、Bryce、

输入电源是稳压 直流电源。

您是否会看到随附文件的电感器电流。
e2e.ti.com/.../Waveform-of-TPS61202_5F00_V2.xlsx

此致多哥

您好、多哥、

电感器很奇怪、它与数据表中显示的完全不同。 当 SW 停止开关时、电感器应降至零、因此功耗较低。  

以下是您的测试结果与数据表结果的比较：

您能否将布局文件转发给我以检查它是否正常？

此致、

布莱斯

大家好、Bryce、

您能看到随附文件的布局吗？
e2e.ti.com/.../Waveform-of-TPS61202_5F00_V3.xlsx

此致多哥

您好、多哥、

Cin 电容器布局不良。  输入电容应尽可能靠近 IC 放置。

 Cout 电容器布局也很糟糕。 输出陶瓷电容器必须尽可能靠近 IC 放置。 原因是功率 MOSFET Q、高侧 FET (或整流二极管)、输出电容形成的环路电流不连续。 高 di/dt 电流路径中的环路寄生电感将在输出端和功率 MOSFET 上产生高电压尖峰。 有关详细信息、请参阅此 应用手册。

此致、

布莱斯

大家好、Bryce

我是多哥的同事 Keisuke。

感谢你的答复。

我有两个问题。  

如果我们将 Cin / Cout 电容放置在 IC 附近、我们需要多远？

对于 xlsx 文件、Cout 电容器的 GND 不直接连接到 IC GND。

   由于距离和连接、 Cout 电容器布局不佳、不是吗？  

此致、

铃木

来自：TPS6120x 的数据表

您好、Keisuke、

感谢您的更新。

1.对于 Cin 和 Cout 布局、电源环路应尽可能小。  

2.对于 xlsx 文件中的布局、GND 布线会稍微薄一点、这可能导致与 EVM 布局相比具有更高的寄生参数。

此外、电源环路的 GND 布线位于电感器下方、因此不建议这样做、因为 GND 可能会受到高开关噪声的干扰。

此致、

布莱斯

您好、Bryce、

感谢您的回复。

我得到了它、并修复了布局。(参考： new_layout.png)

也许、新的布局会变得更好、不是吗？

此致、

Keisuke

png 不好。

请参阅此 pdf。

对此，

Keisuke

e2e.ti.com/.../new_5F00_layout.pdf

您好、Keisuke、

我找不到 Vin-Cin-GND 和 Vout-Cout-GND 环路、环路似乎以9引脚结束、对吧？ 如果是这样、则环路更大。

有关建议、请参阅下一个 EVM 布局。

此致、

布莱斯

您好、Keisuke、

布局更好。 但 Vout-Cout 的走线仍然很细、建议覆铜接地层以减少寄生电感。

此致、

布莱斯

您好、Bryce、

感谢您的善意。  我尝试使 GND 模式更大。

此致、

Keisuke