在第9.2.1.8章中,说明:CIN 仅是陶瓷电容器。
我们认为我们将主要使用 POSCAP 到 CIN (+一些动态电容)。
POSCAP 钽聚合物电容器| Panasonic 工业器件
没问题吗? 请听我说。
此致、
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在第9.2.1.8章中,说明:CIN 仅是陶瓷电容器。
我们认为我们将主要使用 POSCAP 到 CIN (+一些动态电容)。
POSCAP 钽聚合物电容器| Panasonic 工业器件
没问题吗? 请听我说。
此致、
感谢你的答复。 我知道。
顺便说一下、您能不能教授 CSYS+Cin 的9.2.1.2.9章节(仅电池升压内部补偿)、请参阅?
(1)。 我想确认我的独立是正确的或不正确的。
从数据表说明中删除了如果仅使用电池升压模式、并且 VSysMin ()为6.7V、VBOOST 电压为1.6V 为 REG 0x38[5]= 0、
最低升压比为(6.7V+1.6V)/6.7V=1.25
如果 L1为2.2uH、则表22中的 CSYS+Cin 为200uF。 正确吗?
(2)。 4节电池和 VSysMin ()为12V、Vboost 电压为2.3V (REG 0x38[5]= 1)的情况、
最低升压比为(12V+2.4V)/12V=1.2。
如果 L1为2.2uH、CSYS+Cin 需要多大的电容?
(3)。 如果禁用仅电池内部升压、并且 L1=2.2uH 且 CBATT 为40uF、
CSYS 需要多大的电容? 20 μ F?

此致、