您好!
我想了解 TPS40422器件的电流消耗。
应用详细信息:
驱动外部 MOSFET
Vout1和 Vout2、不同的电压轨。
输出电流:每个~20A
5. BP3/BP6稳压器,无外部负载。
TPS 由12V 电源轨供电。
数据表:

开关时器件的电流消耗是多少? 以及相同的功率损耗。
因为 LDO 的最大容量被称为120mA。
我的申请应考虑哪些因素?
因为 PD 可以是12V*25mA 或最坏情况:12V*120mA。 因此、此信息至关重要
谢谢、
-Pramath
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您好!
我想了解 TPS40422器件的电流消耗。
应用详细信息:
驱动外部 MOSFET
Vout1和 Vout2、不同的电压轨。
输出电流:每个~20A
5. BP3/BP6稳压器,无外部负载。
TPS 由12V 电源轨供电。
数据表:

开关时器件的电流消耗是多少? 以及相同的功率损耗。
因为 LDO 的最大容量被称为120mA。
我的申请应考虑哪些因素?
因为 PD 可以是12V*25mA 或最坏情况:12V*120mA。 因此、此信息至关重要
谢谢、
-Pramath
您好!
器件总电流消耗有2个分量(假设 PB3未从外部加载):
- 在开关状态下且无驱动器负载 IVDD 时的输入工作电流。 数据表中指定的上限为25mA
-驱动器电流为功率 FET 栅极供电。 有4个驱动器、来自 VDD 的总电流为4*Qgc*fsw (假设高侧和低侧具有相同的 FET)。 其中 Qgc 是每个 FET 的栅极电荷、Fsw 是器件开关频率。
总电流消耗为 IVDD + 4*Qgc*fsw。 总功耗为(IVDD+4*Qgc*fs)*Vdd 。
示例:Qgc = 10nC、Fsw = 0.5MHz、Vdd = 12V、IVDD = 25mA
总电流消耗= 25mA + 4*10nC*0.5MHz = 45mA
总功率耗散= 12V*45mA = 540mW。
此致