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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1109015/bq24172-what-is-the-high-side-mosfet-behavior-when-it-is-on-sleep-state
您好、TI 专家
在我们的定制设计中、电池反向放电似乎与适配器相反。 我的问题是、BQ24172中的高侧 MOSFET 在处于睡眠状态时是否关闭。
原理图设计如上所示、此设计是否存在任何问题？
BR
杨
您好、杨
转换器将在睡眠模式下被禁用、因此 HSFET 将关闭。 请记住、从 BAT 到 HSFET 的体二极管仍然有一条导通路径。 RBFET 对于阻断电流很重要。
您好、Kedar
我再次检查了原理图设计。 本设计中的 Q1在 BQ24172的数据表@第1页中似乎充当 Q2、因此我认为我们的 Q2可以充当反向阻断 FET、我是否误解了什么？
内部高侧 FET 还具有体二极管。 因此、有一条通过该二极管从电池到 PVCCx 引脚的导通路径。 您的 Q1将防止适配器上出现电池电压。
此致、 Jeff
