[参考译文] LM5164-Q1：LM5164

您好！

我想问的是、56V 输入电压来自您的应用中的哪个位置？ 该电压是否稳定？

如果输入电压稳定、则不需要 L-C 滤波器和二极管。 您可以在输入侧使用电容器。  设计 L-C 滤波器时应小心谨慎、它将对控制环路产生影响。

我们将 电池16串联、以获得55V 电压。 此电源用于降压 DC-DC 转换器。 我们面临的问题是 DC-DC 转换器低侧 MOSFET 损坏在8个以上的卡中。

在驱动负载650mA 时、我们需要一些可能损坏低侧 MOSFET 的条件。 在175kHz 频率下工作时、电感器(68uH)温度上升至65-70摄氏度。

其余所有直流/直流转换器附近的组件在损坏的卡中都能正常工作、但低侧 MOSFET 除外。

如果转换器的设计出现问题、我们没有说明高侧 MOSFET 在所有情况下都不会损坏的原因？

您好！

您能否将您的应用的特定电路图发送给我？ 以便我可以更好 地帮助您解决问题。

电路 C9未连接。

您好！

在电路图中、C4和 C8应为输入电容器。 在高侧 MOSFET 关断期间、它们将与 L2谐振并存储能量、  然后在 高侧 MOSFET 导通时将能量应用于低侧 MOSFET。 它将损坏低侧 MOSFET。

因此、我建议 、如果输入电压稳定、 则不需要 L-C 滤波器和二极管。  L-C 滤波器中的 C 不应是芯片 Vin 引脚接地的输入电容。  需要注意的是、L-C 滤波器的设计应小心谨慎、这将对控制环路产生影响。

您好、先生、

感谢您的回答。

但 L2是铁氧体磁珠、器件型号 为 BLM18EG221SZ1D。

这包含非常低的电感值。

我们计算了输入电容器两端的电压、同时铁氧体磁珠存储 的能量在负载为0.65A 时转换为电容器存储的能量。它甚至不超过60V。 开关节点波形也表明情况良好。

您好、先生、

感谢您的回答。

在10mA 至680mA 的负载转换期间捕获以下波形。

绿色：高侧开关

黄色：低侧开关

粉色：电感电流

青色：O/P 电压(交流耦合模式)

在该波形中、负载转换期间电感器电流从1A 升至1.68A 峰值、大约1us、在此期间低侧 MOSFET 导通且高侧 MOSFET 关断。

那么、在此瞬态期间、低侧 MOSFET 是否存在任何问题、我们还想知道高侧和低侧 MOSFET 的 SOA 吗？

计算器中

fsw = 175Khz、Vnom = 52V、负载电流= 0.7-1A、

 根据 Lm5164计算器、电感器的建议值为168uH、但我们安装了68uH 值是否存在任何问题？

您好，

您的波形看起来电路工作正常。 但是、很抱歉、我的一侧没有特定的 SOA 图。

对于电感值的选择、68uH 只是数据表中特定工作条件的参考值。 我建议您使用芯片的计算工具来获得正确的电感值。

https://www.ti.com/product/LM5164-Q1?keyMatch=LM5164-Q1&tisearch=search-everything&usecase=GPN#design-tools-simulation

我将使用相同的计算器来计算您表示的电感。

n LM5164计算器

fsw = 175Khz、Vnom = 52V、负载电流= 0.7-1A、

 根据 Lm5164计算器、电感器的建议值为168uH、但我们在设计中安装了68uH 值。 那么、68uH 值是否存在任何问题？