[参考译文] LMG1205：如何提高效率

你好 Chase、

1. 这些输入和输出是在哪里测量的？
2. 它们是否在两种设计中使用相同的 FET？
3. 它们是否能够在相同的条件下运行系统？

谢谢、

Daniel W

尊敬的 Daniel：

感谢您的支持。

下面是您首先了解的更多信息。

1.输入为电源8V ->直流/直流升压-> 16.6V (F2上)。它们测量电源上的电压和电流。

输出为 RF_OUT1、是原理图的最右侧。它们在 RF_OUT1上连接了50欧姆功率衰减器、并使用频谱分析仪(传导方法)测量功率

2.是的、他们使用相同的 FET、只是更换了栅极驱动器。

3.我觉得他们不能。 因为输入(8V)最初是脉冲信号、所以它们无法在相同的条件下进行测试。

这是我的问题。 (我的客户已经进行了几次测试。)

1、将 R355和 R351的值改为1Ω Ω 和0Ω Ω、可以正常工作、但对电路有任何副作用吗？

2.第二，他们把 R89和 R99的值改为较低的值，也是可行的，但他们担心过零。R89和 R99的最小值是多少，以避免过零？

3.缩短 U65.7引脚和 U61.B4Pin / U65.5Pin 和 U61.A4Pin 之间的布线是否有效？

布线的电流长度约为2mm、我们可以将其缩短至最小1mm。

请检查这些问题。 谢谢。

此致、

Chase

你好 Chase、

感谢您的持续信息和更新。

1. 在 FET 栅极上可能会看到更多的振铃。 可以通过探头检查此值、以查看其是否为相关金额。
2. 有关 SN74LVC3G14的问题、请开始使用此主题的新主题。
3. 我不会期望这样的改变会对数字信号产生很大的影响

谢谢、

Daniel W

你好 Chase、

他们使用的旧器件是什么？

我正在研究提高该系统效率的方法。

谢谢、

Daniel W

尊敬的 Daniel：

我附加旧零件的 URL。

https://www.psemi.com/products/power-management/gan-fet-drivers/pe29102

确认传播延迟与效率之间的关系将大有帮助。

(我单击了错误的已解决按钮。 抱歉！)

此致、

Chase

你好 Chase、

Out 设备专家目前不在办公室。 他将在下周初回来时回复。 感谢您的耐心等待。

此致、

Andy Robles

尊敬的 Andy：

感谢你的答复。 请告诉我上述问题是否有任何更新。

此致、

Chase

你好 Chase、

竞争对手器件具有高得多的源极电流强度。 这是导致效率差异的最可能原因。 较低的驱动强度会导致 FET 保持部分导通状态的时间更长、从而导致更多的功率耗散。

谢谢、

Daniel W

尊敬的 Daniel：

感谢您的支持。

我看到了您提到的规格。竞争器件具有2A 峰值拉电流、LMG1205具有1.2A 峰值拉电流。

那么 LMG1210呢？ 它具有1.5A 峰值拉电流。 您是否认为 LMG1210的效率远低于竞争对手的器件？

实际上、我们认为影响效率的重要因素是传播延迟、因为低传播延迟会缩短死区时间。

请告诉我您对此的看法。 谢谢。

此致、

Chase

你好 Chase、

如果为器件提供相同的输入信号、则不应影响死区时间。 两个开关的延迟大约相等、具体取决于不匹配情况(典型值为1.5ns)

谢谢、

Daniel W