继续运行相同的 MPN -  TPS7B8150QDGNRQ1。

我在105摄氏度环境温度下测量 IC 的顶部温度、然后它几乎为113.6摄氏度。 我想知道如何才能找出 IC 的结温。

在计算中、如果我使用以下公式、则当功率耗散为0.6W 时、结至环境热阻 Rtja = 63.9 (根据数据表)、环境温度为105摄氏度、则结温为143.34摄氏度。

但在我的案例中、由于我知道顶部温度为113.6摄氏度、 功率耗散为0.6W、和  = 1.8 (根据数据表) 、 则结温为114.68摄氏度。

因此计算得出的结温值为143.34摄氏度，测量值为114.68摄氏度。 我的问题是为什么会有这么大的差异？ 您能不能告诉我的计算出错了。  

请参阅下图、其中我使用热电偶测量了温度。

此致、

Ajay

您好、Ajay、

1) 1)我不确定您的意思、即使能引脚可以承受多少电流而不会造成损坏、因为您无法控制进入使能引脚的电流大小。 EN 上足够高的电压(>VIN)将损坏使能引脚、并可能导致灌入使能引脚的电流增加、但电流不是首先造成损坏的原因。

2) 2)您提供的图显示了热关断而不是电流过载。 这很明显、因为在过载情况下、除非也触发了热关断、否则负载电流不会变为0A。 您是否说过、当 IOUT = 210mA 时、一旦 VOUT 下降、您在存在此条件的情况下等待10分钟、然后测量结温？ 如果确实如此、在这种情况下(循环进入和退出热关断)测量结温将不会准确、因为您将测量外壳的平均温度而不是峰值温度(这将导致热关断)。 测量结温的更好方法是找到导致热关断的负载电流、然后将负载电流减小一小部分、直到器件停止进入热关断状态、然后测量外壳温度。 这将导致峰值结温测量。  

3) 3)您应该使用公式 Tj = P_D * ψJT + T_top。 Rθ  ψ 原因是热阻参数(Δ I 参数)与应用相关、尤其是与电路板布局相关、但 Δ I 参数与应用的相关性要小得多、并且在实际应用中提供了更准确的计算。 使用 您计算的 PD =(VIN-Vout)*Iout =(24-0.314)* 0.102 = 2.842W 是无用的，因为这是器件已经进入热关断状态，VOUT 已经下降，从而增加了器件中耗散的功率。 在这种情况下、器件将反复进入热关断状态、并且永远不会达到您使用此功率计算的结温。 请尝试注释2中的建议步骤)。  

4) 4)差异是由于环境温度的差异造成的。 当环境温度较高时、器件在热关断前的功耗会更低。

对于后续问题：

 您使用 ψJT 进行的计算是这里的正确方法。 我不理解您提供的图片、因为它未显示 TPS7B81-Q1可用的任何封装。 您能否确认您正在计算 TPS7B81-Q1的结温而不是另一个 IC？

此致、

Nick

您好、Ajay、

2) 2)是的、您的理解在所有方面都是正确的。  

[引用 userid="498763" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1106962/tps7b81-Q1-tps7b8150qdgnrq1/4103324#4103324"]我的疑问是在我们的文档中(thes7b81-Q1) 发现结温情况时、通常使用此结点温度分析*#tja_tja_out_t =结温*结温*#tja_out_out_trabout_t。]

这不正确。 Tjunction  = P_D * RthJA + T_Ambient 等式仅在设计过程中使用、因为在设计阶段、环境温度通常是系统中唯一已知的温度。 在实际应用中、 RthJA 在很大程度上取决于电路板布局、因此一旦电路板组装和通电、其实用性就会丧失。 您提到的等式 、T_case = T_Junction - P_D * RthJC、从未像这样使用。 若要使用此公式、它将采用 T_Junction = T_case + P_D * RthJC 的形式、在这里您测量 T_case 并像 以前一样插入 P_D 和 RthJC。   ψJT ψ 上述内容、公式 Tj = P_D *Δ T + T_TOP 更有用、因为 Δ Σ 参数在实际应用中更加精确。  

[引用 userid="498763" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-manageming-forum/1106962/tps7b81-Q1-tps7b8150qdgnrq1/4103324#4103324"]您能不能告诉我如何将这两个结温差与这两个结温差相关联、因为这两个结温差是有效的]

这些不同、因为 RthJA 不恒定、并且非常依赖于电路板布局。 此外、正如我在前面提到的、 在器件循环进入和退出热关断时测量结温不会产生看起来有意义的结果、因为您要测量的结温是器件加热和冷却周期中的平均结温、并且不是稳态 测量。 因此、重申一下、不要在实际应用中依赖 RthJA 公式；而是使用 ψ 参数。 这将是更精确的结温估算。  

[引用 userid="498763" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1106962/tps7b81-Q1-tps7b8150qdgnrq1/4103324#4103324"]我是否可以考虑 Tj = P_D * Rthjc_t_t 结果+ tpensch[#t_t_t&tqt&t&t&t&t&t&t&t&t&t&t&t&t&t&t&t&t&tr

在实际应用中、应避免使用热阻参数(θ)、而应使用 ψ 参数。 原因在于参数的定义方式。  θ 参数假设所有热量都流经封装的相应区域。 例如、RthJT 假设所有热量都从封装顶部流出。 这些指标使客户能够了解热量如何通过封装上的各个区域离开封装。  ψ、在实际应用中、热量不仅会使封装穿过封装的单侧、这也是 μ m 参数的输入位置。  ψ 参数的定义假定热量像实际应用中那样流经所有出口、这使得它们在实际应用中更加有用、并且它们几乎消除了电路板布局的所有依赖。

总之、如果您在器  件未在热关断周期中运行时在稳态期间测量外壳温度的顶部、并使用公式 Tj = P_D *ψJT + T_Top、则这将是最准确的测量。

此致、

Nick