[参考译文] LM25149：高负载时的 MOS 开关损耗

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器件型号：LM25149
主题中讨论的其他器件： LM25117

大家好、

下面是我客户的规格、我很惊讶"高侧"MOS 功率损耗远低于我预期的值以及我在其他工具中计算出的值、

计算器显示、20A 时高侧约为1.6W、

但我使用其他工具发现、在相似的 MOS 规格下、高侧 MOS 功率损耗应约为3.014W、远高于计算器结果。

虽然 MOS 并不完全相同，因为这个工具只能选择 TI 的 MOS，但是它们非常相似，不管是 Qgd 还是 Rson。

总之、我想知道我输入了什么错误吗？或者、LM25149是否有该工具不知道的特殊机制？

0 admin 3 年多前

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您好、Fred、

功率 MOSFET 计算器和快速入门应使用相同的公式。 Quickstart 计算器具有更精确的驱动器电阻和死区时间数字。

FET 完全相同。 RDSON 和 QG 是不同的。

此外、功率 MOSFET 计算器似乎使用 RDSON 的最坏情况值。

还要确保低侧 FET QOSS 相同。 QOSS 损耗实际上出现在高侧 FET 上。

希望这对您有所帮助、

－奥兰多

0 admin 3 年多前

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您好、 Murray、

我应该坚持使用计算器。

那么、有一个问题 LM25117和 LM25149哪一个具有更低的高侧 MOS 开关损耗？

尽管 LM25525的 Rdrive 更低、但 LM25117 VCC 更高。

0 admin 3 年多前

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Fred、

高侧开关损耗与栅极驱动电流有关。

这些器件具有相似的电流、因此开关损耗应该相同。

VCC 越高、RDSON 越低、导通损耗越低、但 VCC 越高、QG 总电流越高、栅极驱动器损耗越高。

如果您的逻辑电平 FET 的 Vth < 3V、我建议您使用 LM25149。米勒平坦电压(Qgd 电压)应小于4V。

－奥兰多

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