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[参考译文] UCC5390ECDWVEVM:UCC5390ECDWVEVM

Guru**** 2380950 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1127788/ucc5390ecdwvevm-ucc5390ecdwvevm

器件型号:UCC5390ECDWVEVM

您好!

我们正在尝试使用您所在工厂的 GD IC 仿真模型:  

UCC5390ECD PSpice 瞬态模型  UCC5390ECD PSpice 瞬态模型

我们在 LTSpice 中将其用于 DPT 仿真。

我们观察到的问题是:当输出 MOSFET 关闭时(输出在内部通过 Rol 连接到 Vee2)、我们可以看到高电流从 Vcc2流过 Vee 内部的图腾柱。 在关闭状态下、图腾柱的上半部分似乎导通。 您能帮我们解决这个问题吗?

谢谢你。

米兰

Eaton  

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    您好、米兰、

    您看到该电流的时间有多长?  您是否有可以发布的信息的捕获?

    您是在每个周期还是仅在 DPT 的某些部分看到这一点吗?

    我想知道是否有电容导致该电流? 我们的模型基于行为、因此可能无法准确地表示 IC 内部的瞬态条件。

    此致、

    Don

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    您好 Don、

    感谢你的帮助。

    我可以看到整个关断周期内的电流。 我正在共享模型和电流测量的快照。

    e2e.ti.com/.../GD.docx

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    您好、米兰、

    我更深入地研究了这一点、它似乎不是建模的 ICC2。

    根据模型中的注释:

    (小部分
    *
    *型号使用说明:
    *
    * 1. 已对以下功能建模
    * a.传播延迟、上升/下降时间等开关特性
    * b.峰值输出拉电流/灌电流
    * C. UVLO
    * d.短路钳位
    * e.主动关断
    * 2. 未对温度影响建模。
    *
    (小部分

    您的开关波形看起来正确、因此您应该能够继续进行仿真。 请注意、我们的模型是行为模型、可能无法准确仿真电路的每一个子细节。 由于 IC 设计的复杂性、我们必须在精度和仿真时间之间进行权衡。

    此致、

    Don

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    您好 Don、

    感谢您的解释、这真的很有意义。 我忽略了国际刑事法院没有被建模的问题。

    再次感谢您!

    米兰