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我在75V 输入电压下运行 LM5146、在电感器之后、输入端有一个100uF 电容器、输出电压上有一个100uF 电容器。 我读出 SW 走线应尽可能短、而我的走线长度约为17毫米。
这是否是我的输出噪声如此大的原因、我在输出上得到大约5V 峰间值的问题?

我很确定我的电路设计是否正确、因为我使用了 WebBench 并与 TI 讨论了我的设计。

有人对导致这些尖峰的原因有什么想法吗?
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我在75V 输入电压下运行 LM5146、在电感器之后、输入端有一个100uF 电容器、输出电压上有一个100uF 电容器。 我读出 SW 走线应尽可能短、而我的走线长度约为17毫米。
这是否是我的输出噪声如此大的原因、我在输出上得到大约5V 峰间值的问题?

我很确定我的电路设计是否正确、因为我使用了 WebBench 并与 TI 讨论了我的设计。

有人对导致这些尖峰的原因有什么想法吗?
除了 MOSFET 和电感器、Ha、您提到的两个方面、一切基本上都是一样的。 我无法获得推荐的 MOSFET、因此对于我正在使用的 MOSFET
| CSD19538Q2 |
我将要使用的电感器
| SRR1210-680M |
非常感谢您的帮助!
尊敬的 William:
尝试安装一些陶瓷输出电容器、因为电解电容器具有高 ESR 和 ESL。 尝试2 x 10uF/50V/1210、然后使用紧凑的探头布局来测量这些电容器上的 VOUT、以避免拾取。
PS:您的 COUT 原理图为100uF、但快速入门为30uF。 这对于正确量化非常重要、因为它会影响环路补偿。 陶瓷电容器随电压降额、但非常适合传导高频电流和降低纹波。
此致、
Tim
尊敬的 William:
是三个直接从 VIN (高侧 FET 的漏极)连接到 GND (低侧 FET 的源极)的输入电容器-考虑到高 di/dt 电流、这些电容器是降压稳压器中最重要的电容器。 有关功率级布局的更多详细信息、请参阅应用手册 SNVA03。
在纹波测量方面、它应穿过输出电容器并使用 Tip & Barrel 方法(以避免探针 GND 线拾取噪声)。
此致、
Tim