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器件型号：LM5145 主题中讨论的其他器件： CSD18563Q5A、 CSD19534Q5A
大家好
我们在以下条件下使用 LM5145
VIN=15V~36V
Vout=12V
Iout=5A
FSW=300kHz
环境温度高达70度
我们选择的 CSD18563Q5A 高侧和低侧是相同的
LM5145是否选择高侧和低侧 MOSFET 需要特别注意关断延迟时间和下降时间等参数、以避免高侧和低侧同时导通。
由于成本问题、可以选择 CSD19534Q5A？
LM5145的14ns 自适应死区时间控制能否防止高侧和低侧同时导通、例如、选择 MOSFET 关断延迟时间大于14ns 的 MOSFET (CSD19534Q5A)？
CSD19534Q5A 关断延迟时间20ns +下降时间6ns >14ns
