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[参考译文] TPS544C25:Vset EEPROM ISP 编程

Guru**** 1133870 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS544C25
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1129079/tps544c25-vset-eeprom-isp-programming

器件型号:TPS544C25

在此设计中、我使用了两个 TPS544C25RVFR 直流/直流控制器-一个用于1.1V DDR5 VDD、另一个用于0.82V CXL 控制器 Vcore。 我在这两个电路设计中使用了 WBDesign 在线工具。 由于负载和电压不同、它们的电路相似、但 FB、COMP 和 RT 电路中的注释值不同。

根据 WBDesign 在线工具生成的电路、它们对 Vset 的用法不同:

  • VSET 用于1.1V DDR5 VDD–启动= 133K 1%
  • VSET 不用于0.82V CXL 控制器 Vcore–它上拉至 V_BP3。

 

根据 TPS544C25RVFR DS、加电/复位 Vout 可在使用 VSET 时由 Rset 或在不使用 VSET 时由 EEPROM 进行设置。

问题:

1、对于未使用 VSET 的应用、TI 是否有用于 EEPROM ISP 编程的工具? TI 是否具有用于超大规模生产的预编程服务?

2、对于使用 VSET 时的 Rset 值、以下 VOUT 值是否仅支持启动选项? 如果不是、什么 Rset 值可以将 Vout 设置为0.82V?

3、根据上表、对于1.10V 输出电压、Rset 应为121K 1%、WBDesign 工具生成的原理图和 BOM 为何使用133K 1%?

谢谢!

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    尊敬的 Jack:

    我们的美国团队将在明天对其进行审核并回复您。

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    [引用 userid="417032" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum /1129079/tps544c25-Vset-EEPROM-ISP-programming]1对于未使用 VSET 的应用、TI 是否具有 EEPROM ISP 编程工具? TI 是否具有用于超大规模生产的预编程服务?[/QUERP]

    我们没有预编程服务、但我们提供了可 将配置存储到 NVM 的软件(Fusion Digital Power Designer:www.ti.com/.../fusion_digital_power_designer)。 要运行该软件、您需要一个 TI USB 适配器、您可以在  https://www.ti.com/tool/USB-TO-GPIO 上购买该适配器

    [引用 userid="417032" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum 1129079/tps544c25-Vset-EEPROM-ISP-programming"]

    2、对于使用 VSET 时的 Rset 值、以下 VOUT 值是否仅支持启动选项? 如果不是、什么 Rset 值可以将 Vout 设置为0.82V?

    [/报价]

    有关如何在不使用 PMBus 的情况下设置 VOUT 的说明、请参阅以下常见问题解答: https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1023429/faq-tps544c25-how-to-set-vout-using-pin-strap-and-using-pmbus

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    对于我的第三个问题、我仍然不确定为什么要设置 Vset 电阻器。  

    请参阅随附的 webench 原理图。  

    请告诉我您的想法吗?  

    谢谢、

    e2e.ti.com/.../5224.Schematic.pdf

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    VSET 电阻器允许的唯一值是 表2中列出的值。 因此、我认为这是 WEBENCH 上的错误。 我会要求他们修复它。  

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    我们更喜欢使用外部硬件电路来设置加电/复位时的默认 Vout。 尽管需要重新旋转 PCB、但大规模生产会更加方便。

    我想如果外部补偿电路中的 Rbase 值变化不会对性能产生任何副作用、变通办法应该是我们的工具默认的电路设计、而不是在 EEPROM 中使用编程值。

    请告诉我、外部补偿电路中的 Rbase 值变化是否会对性能产生不利影响。

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    添加反馈电阻分压器可能不会对性能产生不利影响。 您可以使用 Excel 计算器(以下链接)检查补偿电路是否稳定。

    https://www.ti.com/lit/zip/slurb02

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    有关 TPS544C25的更多问题。

    TSNS/SS 引脚是用于 TPS544C25的多功能引脚–外部温度传感器输入和/或软启动检测。 PER 选项(MFR_SPECIFIC_21)寄存器软启动检测是上电时的默认功能。

    问题:

    1. 我是否可以在该引脚上有一个下拉电阻器、例如用于3ms 软启动的22.6K 电阻器、用于上电软启动控制、还可以在运行期间使用外部 Cth + 3904晶体管进行外部温度感测?
    2. 如果是,22.6K 下拉电阻是否会影响外部温度的精度?
    3. DS 表显示、建议为 Cth 使用1nF 电容、但在线 WBDesign 提供的 Cth 电容为330pF、我应该为 Cth 使用330pF 电容还是1nF 电容?

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    尊敬的 Jack:

    我们的美国团队将在明天回复您。

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    您好 JDJ、

    1. 我是否可以在该引脚上有一个下拉电阻器、例如用于3ms 软启动的22.6K 电阻器、用于上电软启动控制、还可以在运行期间使用外部 Cth + 3904晶体管进行外部温度感测?
      我认为这不是一个好主意、在内部施加偏置电流、这将消耗电流并测量 TSNS/SS 引脚上的电压。  数据表的第8.3.14节过热保护中对此进行了说明。 当电阻 器拉至 GND 时、BJT 的理想因子可能会从 IC 的角度以及 器件的设计目标。 测量可能 不会那么精确。

      为什么不通过 PMBus 命令设置软启动开启? 默认情况  下、器件使用电阻器进行软启动、但如果要使用温度测量功能、则必须无论如何设置 SS_DET_DIS。 否则、这将始终读取 8.6.51.8 SS_DET_DIS 部分中提到的25C。

    2. 如果是,22.6K 下拉电阻是否会影响外部温度的精度?
      是的、它很可能会影响外部温度精度。 我们无法确切地告诉您它会受到多大的影响。 这超出了器件的特性范围。

    3. DS 表显示、建议为 Cth 使用1nF 电容、但在线 WBDesign 提供的 Cth 电容为330pF、我应该为 Cth 使用330pF 电容还是1nF 电容?
      使用数据表的建议值、在本例中为1nF。   

    此致、

    Luis Hernandez Salomon

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    在上电之前无法使用 SMBus 将输出电压更改为目标电平的原因是我们没有上电序列控制器。 该直流/直流电源轨用于 PMBus 电源轨,在控制器启动之前,该电源轨不会处于活动状态。 如果进行 EEPROM 预编程、则不方便生产。 我们了解它可以是 TSNS 或 SS。

    我将更新 BOM 以使用1nF 作为 Cth。

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    我知道。

    是的、该引脚可用于 TSNS SS。 但是、我们不保证同时将其用于 TSNS 和 SS。 默认情况下、该引脚将用于设置禁用温度测量的软启动时间。 同样、如果该引脚配置为温度测量、则软启动功能将被禁用。  

    正如我提到过的、添加此电阻后、温度测量的精度无法确定、因为此电阻可能会在引脚电压测量期间拉电流、这可能会影响产生的温度读数。

    我建议在添加该电阻并移除该电阻的情况下测试器件的温度测量、并确认温度处于客户可接受的设计参数范围内。 然而,我们不能保证这将正常工作。  

    很好! 数据表是查找设计组件值的最佳来源。

    如有任何疑问、请告知我们。

    此致、

    Luis Hernandez Salomon

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    这应满足100ms PCIe 总线枚举时序要求。 如果我们在 TPS544C25的默认~ 6ms SS 时间内有足够的裕度,我们将使用此引脚作为 TSNS 进行外部温度监测,否则将在 Cth 加载14.7K 或22.6K 电阻器,而不是1nF 和 DNI 2N3904,以将 TSS 设置为2ms 或3ms。

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    好的、完美。  

    祝您设计顺利 JDJ! 这应该完全可以。 希望默认值为6ms 的应用可以正常运行。

    此致、

    Luis Hernandez Salomo