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[参考译文] TPS51216:设计帮助和解释

Guru**** 2587365 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS51116, TPS51216

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1063351/tps51216-design-help-and-interpretation

器件型号:TPS51216
主题中讨论的其他器件:TPS51116

各位专家:

你好。

是否可以为芯片使用单个电压电源? 我在第7.3节"建议运行条件"中看到、VBST 可以为-0.1至5.5、SW 可以为-3至28。 那么、我们是否也可以为这些应用使用%伏特? 我们是否可以仅为 VBST 和 SW 使用5伏电压? 那么、单个5V 电源呢?
我在9.2中看到、Vin 为8V 至20V、但为什么在第7.3节中没有提到。 加上首页、可以通告3至28伏的转换电压范围。

谢谢。 我还应该将其他问题保存到这里吗?  客户还会考虑使用 TPS51116来确定哪种最适合他们的情况
TPS51116的第10节规定:该器件设计为由3V 至28V 的输入电源供电。存在输入电压
和开关节点电压限制。 内部需要单独的5V 电源
器件的 MOSFET 栅极驱动器。
我们还想知道是否可以为 TPS51116提供单电源。 否则、我们的板将具有24V 电压轨和5V 电压轨。

谢谢你。

此致、
阿尔基·A.

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    您好!

    使用单电源运行电路没有问题。 5Vin 为内部电路供电、应保持清洁。 因此、建议为5V 输入电压使用单独的电源电压。 此外、5VIN 的 UVLO 阈值为4.4V (典型值)。 如果使用单电源电压、并且电压深度低于4.4V:

    1 -器件也会关闭、VDDQ 也会关闭

    2:当电压高于 UVLO 时、器件会以软启动延迟开启

    如果使用单独的电源、则5V 输入电压不受功率级电源电压变化的影响。

    我希望这能回答你的问题。 如果您的问题得到解答、请关闭已解决的主题。

    此致

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    您好、Mahmoud、

    感谢您的详细回答。 客户端有以下跟进查询。

    我们的板将具有一个降压稳压器、可将24V 转换为5V。 或许我最好使用24V 电压为 TSP51x16提供 Vin、使用5V 输出电压为5V 输入电压? 我们使用2 16位 DDR3L 芯片为 MPU 提供 DRAM。 我还将比较/对比 TPS51116和 TPS51216。 唯一的区别是 I Spot 是1:TPS51216只有一种电容感应控制模式、而 TPS51116还提供电流模式。 2:TPS51116 LDO 的额定电流为3安培、而 TPS51116的额定电流为2安培。 TPS51216较新。

    是否有人建议哪种芯片适合我们的情况? 我倾向于使用 TPS51216、因为它较新、并且可能会保持工作时间更长、2安培的 LDO 仍然足够用于~20线路端接(其余的具有片上端接)。 D-CAP 控制模式似乎更加简单。 我是否有任何理由希望使用电流模式、这只是为了使用陶瓷电容器?

    谢谢你。

    此致、
    阿尔基·A.

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    您好 Archie、

    这两种器件都适合您的应用。 D-CAP 模式基于高增益比较器、无需补偿环路。 在 D-CAP 模式下、输出电容器需要具有一些 ESR 以降低抖动。 在 D-CAP 模式下、输出电压纹波高于电流控制模式。