[参考译文] UCC21750-Q1：SiC MOSFET 驱动方法

您好、Abhishek、

感谢您关注 UCC21750器件。

1.是的、您可以规划自举方法来创建隔离式偏置。  需要2个隔离式偏置[VDD - Pos]和[Vee- neg]。 齐纳二极管可用于从隔离式偏置中生成负隔离式偏置。 它可以来自自举方法、也可以来自计划的其他隔离式偏置。 希望这两种方法之间的差异能解答您的问题。 有关自举电路的更多信息、请单击此处。

此处提供 了有关不同 SC 保护方法 的详细应用手册。

目前、我们的单通道隔离式驱动器支持不同的保护功能- 此处对单通道驱动器进行了比较。  我们的双通道驱动器在 这里进行了比较 -但没有保护功能。 对于全桥电路、建议在每个桥臂上使用1个双通道驱动  器和2个单通道隔离式驱动器、以支持对每个桥臂的保护。

希望它 能解答您的问题。  

您好、Abhishek、

2个具有 高侧保护功能的单通道隔离式驱动器和1个具有低侧保护功能的双通道驱动器、这也取决于系统和保护要求。

我们有  一个使用 UCC21732的参考设计-与 UCC21750属于同一系列。 但这不是全桥参考设计。 但它将为您提供 有关使用 UCC217xx 器件实现隔离式偏置和其他保护功能的信息。

您还可以参考 UCC21750 EVM 设计文件 以及如何集成 隔离式驱动器。

如果回答了您的问题、请按绿色按钮。

谢谢

Sasi

您好、Abhishek、

自举方法是通过二极管、电阻器和旁路电容器产生高侧偏置的经济高效的方法之一。 如果按照应用手册共享 的[“自举电路”确保适当的电容、电阻器和二极管]中所述进行了适当的设计，则这就足以满足隔离式偏置要求。

POS：具有成本效益、只需很少 的组件和简单的电路即可生成隔离式偏置。

需要 考虑的几个因素、

1. 当低侧驱动器切换时，自举电容器将充电，因此需要考虑应用是否允许适当的低侧“接通”时间。   

2.需要设计适当的 C 和 R 值 ，以便自举 电源以最小的损耗为所有需要的负载条件提供所需的偏置。

希望它能解答您的问题。

谢谢

Sasi   

您好、Abhishek、

Cboot 应支持开关电流[基于栅极电容]+器件 静态电流最大值[整个开关 TON+TOFF]

IHBS 不是 IH/IL 逻辑输入泄漏电流。  数据表中未定义 UCC21750的 VDD 泄漏电流规格[相当于 HB 泄漏]。

如果您计划设计偏置器件电流[IVDDmax]+外部栅极电容所需的电流[基于电源开关栅极电荷]、则它将满足您的偏置需求。 希望这对您有所帮助。

此外、正如设计中建议的、Cboot min >= 10xCg、这应该有助于设计 Cboot。

我建议您在系统中对此设计进行仿真和原型设计、以验证它是否能够在驱动器限制范围内正常工作。

我们还提供了使用 UCC14240-Q1的隔离式偏置参考设计 、该 参考设计是一种单芯片解决方案、可在以下 链接中为 UCC217xx 系列器件创建正负隔离式偏置：

谢谢

Sasi

中的 UCC21750模型 仅适用于 PSpice -因此您可以使用 PSPICE 进行仿真。