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您好!
我在 TI 网站上找不到有关如何设置此 RCD 钳位的公式。 这个 RCD 钳位看起来像是在尝试恢复钳位电容器中存储的泄漏电流。
您可能需要尝试使用对角 RCD 钳位。 您可以将其连接到 D4和 D6的阳极、而不是将 R8和 R9连接到输出端。
您可能会摆脱 R9、我 在下面标记了原理图。

C1上存储的电压= Vout*2。 我认为 R6和 C1的速度为100k、是一个很好的起点。
R8设置为钳制最大 SR FET VDS 电压(Vdsmax)。 我建议将 FET 的最大电压设置为80%。
您应该能够使用以下公式。
R8 =(Vdsmax*0.8 - VD6 - Vout/2)/Iout
钳位激活时、电压交叉 R8:
VR8 = Iout*R8
二极管 D4、D6和 R8将消耗次级漏电感(Lslk)的所有泄漏能量。
以下公式将估算漏电感(Pslk)的功率耗散。
Pslk=((Lslk/2)*(Iout)^2)* fsw
以下公式可用于估算 VD4、VD6和 VD8损耗。
VD4 = 0.8V
PR8 = Pslk*VR8/(VR8+VD4)
PD4=PD6= Pslk*VR8/(VR8+VD4)
在 R6中耗散的功率=((Vout*2)^2)/R6
此致、
您好!
如果选择的输出电感器(L1)较小、则电感器纹波电流和峰值电感器电流将更大。
当 SR FET 关断时、钳位会释放变压器次级侧漏电感(Lslk)中的能量。 它不会试图钳制输出电感器(L1)中的能量。 但是、Lslk 中的峰值电流将与 L1相同。
当选择 R8时、我对这一点的思考越多、您就可以根据峰值电感器电流(IL1max)来调整它的大小。 以下公式应该会有所帮助。
R8 =(Vdsmax*0.8 - VD6 - Vout/2)/(IL1max)
此致、