[参考译文] LM5141-Q1：动态负载和持续负载 VDS 问题

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器件型号：LM5141-Q1
主题中讨论的其他器件：LM5141

尊敬的先生/女士

我的客户将 LM5141设计为输入54V 和输出13V8A。
LOUT = 4.7uH_21.4A_5.7mR
Rsense = 0.004 Ω
COUT = 22uF*2 25V
Cbst = 0.1uF 100V
CRES = 0.22uF 50V
CSS = 82nF 16V
C蒂丝= 10nF 50V
fs=440Khz
进行了两次测试。
最大恒流负载测试。
发现高 MOSFET 的 VDS 电压将为65V。如果客户使用的是 TI 60V/100A MOSFET。高侧栅极电阻为5.1欧姆。您是否会建议客户增加高侧栅极的电阻？您是否会建议客户提高高侧 MOSFET 的 VDS？
2.动态负载测试。
负载电流为0.7A 至8A。
发现 Vout 电压环将浪涌至14V。客户希望可以降低到13.6V。我建议客户增加输出电容器。实际测试结果是增加了20uF 输出电容器来抑制 Vout 环。我想问、这是正确的方法吗？还有其他方法吗？

此致、

黄上

3 年多前

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2386610 points

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你好，卡米：

1.我建议客户可以添加栅极电阻器来降低 SW 的 dv/dt，从而降低 VDS 的尖峰。您还可以在高侧 MOSFET 上放置缓冲器。

如果客户希望增加 MOSFET 的 VDS、请注意它可以由5V 电压驱动、这意味着当 Vgs=5V 时、Rdson 是可接受的

2.是的、增大输出电容很有用。顺便说一下、在13V 输出下、22uF/25V 电压可能只有一半的电容。因此、增大输出电容将有助于提高瞬态性能。

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2386610 points

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Daniel、您好！

我的客户将 LM5141设计为输入54V 和输出13V8A。
LOUT = 4.7uH_21.4A_5.7mR
Rsense = 0.004 Ω
COUT = 22uF*2 25V
Cbst = 0.1uF 100V
CRES = 0.22uF 50V
CSS = 82nF 16V
C蒂丝= 10nF 50V
fs=440Khz

我的客户设置了 E-load 压摆率：1600mA/us

瞬态负载测试条件：(13V 输出) 100W->10W

我们可以在波形下方看到、该 IC 响应时间约为30us。

客户想要缩短此响应时间？如何执行此操作？

此致、

黄上

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2386610 points

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你(们)好

如果没有低 IQ 要求、客户是否可以使用 FPWM 模式而不是 PFM 模式。另外、客户可能需要优化环路参数并添加更多输出电容器

电源管理（参考译文帖）

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[参考译文] LM5141-Q1：动态负载和持续负载 VDS 问题