尊敬的团队
TPS563231DRLR (VR4)的产品最近烧坏了。
烧毁位置是引脚1 (Vout)和 PIN2 (SW)、请参阅下图。 您可以帮助查看原理图和布局吗？
e2e.ti.com/.../RT5010W_2D00_D187_2D00_RoHS_2D00_REV3.5._2D00_0807_2D00_t.zipe2e.ti.com/.../rt5010w_2D00_d187_5F00_power.pdf
在什么条件下，是否有机会造成这种现象！！
如果您需要有关该问题的更多信息、请向我提出建议。
非常感谢
丹尼
您好 Ruby
软件工具是 PADS。
1.请帮我在 Vin、SW、Il 和 Vout 烧坏时捕获波形吗？ 和 Vin、Vboot、Il 和 Vout 的波形。
=> IC 无法正常工作、
VIN 接地阻抗：17 Ω
VOUT：CP283接地阻抗：6 Ω
顶层
底层
对于布局、您能提供一些建议吗？
2.共有多少件产品出现了此问题？
故障20件/总计400、000件
3.请帮我拍摄损坏 IC 的照片吗？
非常感谢
丹尼
您好 Ruby
您对 原理图和布局有什么建议吗？
我已经捕获了高侧和低侧 MOS 的 VDS 波形。
VDS
低 侧的 VDS
非常感谢
丹尼
你好、Denny's
以下是我的评论：
对于原理图、
输入电容的电压容差仅为16V、但输入电压为12V 时、降额会很大。 此外、对于3.3V 输出电压、输出电容器的电压容差略低。 因此、我建议为输入和输出使用具有更高电压容差的电容器、或为输入添加一个22uF 电容器、为输出添加另一个22uF 电容器。
2.我 建议在 SW 引脚上添加 RC 缓冲器以减少振铃。
对于布局：
有一点很小、我建议将电感器移动得更高、以便 SW 的铜面积可以减小一点、因为它很吵。 然后、放大输入电压的覆铜。 其他看起来不错。
BR
Ruby
你好、Denny's
请参阅以下布局。
BR
Ruby
