[参考译文] UCC24612：栅极驱动问题。 高变压器时长振铃

您好、Artem：

感谢您的提问。  

似乎 VDS 振铃会在导通消隐时间后关闭 DRV 信号。  

在 UCC24612中、导通消隐是固定的(等于最短导通时间)、并使用自适应关断时间来避免在 MOSFET 关断期间由 VDS 振铃再次导通 DRV。

我是否可以知道 Pic1的 SR DRV 导通时间？   

1.您是否会尝试调整初级侧 MOSFET 的缓冲器、而不是添加并联的 R-C 变压器？ 与直接添加 R-C 相比、功耗更低。

初级侧 MOSFET 的关断电阻器如何？ 是否可以稍微增大该值以减小 VDS 尖峰？  

该问题可能来自初级侧 MOSFET 关断时的 VDS 振铃。 因此、减少 VDS 振铃是一种解决方案。 我担心该解决方案会影响效率、但我们可以找到一个不会对效率造成太大损害的解决方案。  

此致、

许惠仪

大家好、 Wesley！
感谢您的回复。

SR 导通时间大约为500-600ns (pic1)、与规范(TON_MIN)中描述的一样
由于栅极驱动器足够弱(400mA 关断电流)且内部 MOSFET 电阻约为10-11欧姆(ipd60r180p7)、因此不存在初级 MOSFET 关断电阻器。 我不想降低 MOSFET 的速度、因为它在没有任何散热器的情况下工作。

您好、Artem：

您是否想分享一次侧 MOS 的 VDS、Vgs 和 ID 波形以供参考？ 根据您提到的、如果 SR DRV 宽度为最小导通时间、则意味着 SR MOS 的 VD 振铃周期长于600ns。 波形将很有用、并提供线索、说明如何在更少影响的情况下进行改进。

BTW、您是否会尝试调节缓冲器以减少初级 VDS 的阻尼？ 有用吗？

此致、

Wesley  

大家好、Wesley！
振铃周期长达980ns。 振铃频率为5.6MHz。 似乎没有其他方法、因此确实需要 RC 阻尼电路