主题中讨论的其他器件: CSD18511Q5A、 LM25149-Q1EVM-2100、 CSD18503Q5A、 LM25148、 LM25149、 LM25149-Q1
大家好、
题目是 MOS 的要求是什么? 我们是否有一些推荐的 mos? 谢谢!
BR
Jiawei
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大家好、
题目是 MOS 的要求是什么? 我们是否有一些推荐的 mos? 谢谢!
BR
Jiawei
您好、Jiawei、
对于任何 MOSFET、您肯定需要确保阈值电压 VGS (TH)小于栅极驱动器电压。
LM25148-Q1的栅极驱动为 VCC 或5V。
对于 =高频设计、您希望通过最大程度地减小栅极电荷 Qg 来最大程度地降低开关损耗、而不会因导通损耗而牺牲过多的 RDSON。
LM25149-Q1EVM-2100使用 IAUC60N04S6L039。 您还可以使用 CSD18503Q5A 和 CSD18511Q5A。
您可以使用 WEBENCH 生成设计和推荐的 MOSFET。
希望这对您有所帮助、
-奥兰多
您好、奥兰多、
感谢您的回复! 请帮助查看随附的原理图、谢谢!
e2e.ti.com/.../DC_2D00_DC_2D00_LM25148.pdf
BR
Jiawei
您好、Jiawei、
单相上的15A 电流可能导致更大的温度上升、您的环境温度是多少?
5mΩ ISNS 电阻器将峰值电流限制设置为12A、不会产生15A、您应使用3mΩ Ω 分流器将峰值电流限制设置为20A。
您可以为 VDDA 使用一个0.1µF μ F 电容器。
LM25148将具有内部自举二极管、因此您无需使用外部二极管、除非您需要。
请确保 C1799、C1800和 C1801具有足够的 ESR 来抑制输入滤波器谐振。
我找不到该电感器、但请确保它不会饱和。
其他一切对我来说都很好!
-奥兰多
您好、奥兰多、
感谢您的回复! 客户计划使用 SiR422DP MOSFET、我查看了其数据表、认为还可以、但想与您再次核对、谢谢!
BR
Jiawei
您好、Jiawei、
MOSFET 看上去一切正常! 请参阅随附的快速入门计算器。
e2e.ti.com/.../LM25148_2D00_Q1-Quickstart-Calculator_5F00_SiR422DP.xlsm
-奥兰多
您好、Jiawei、
如果您降低了频率并且未更改电感器、则电感器 pk-pk 纹波电流 ΔIL 将非常大并达到峰值电流限值。
电感器峰间纹波电流为 ΔIL = T_ON *(VIN-VOUT)/L
此外、T_ON =(VOUT/VIN)/F_SW
峰值电流限制由电流感应电阻器和电流感应阈值设置。
LM25149-Q1上的60mV 阈值和 EVM 上的 μ 5mΩ 将电感器峰值电流限制设置为12A。
您需要重新调整电感器的大小、使其达到440kHz。
对于15A、您还需要重新调整电流感应电阻器 R11的大小以更改峰值电流限制。
我建议使用 快速入门计算器更新设计。
希望这对您有所帮助、
-奥兰多