[参考译文] UCC24612：电源管理论坛

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Other Parts Discussed in Thread: CSD18563Q5A, UCC24612, TPS23756

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器件型号：UCC24612
主题中讨论的其他器件：CSD18563Q5A、 TPS23756

您好！

*我在反激式中使用 UCC24612-2作为25W 负载系统中的低侧 SR、Vload = 5V。
*我发现、当具有低侧 SR 在 CCM 下工作的反激式系统(功率负载约为23W)时、SR MOSFET VDS 具有高电压尖峰、超过 MOSFET。Vgs 比例驱动器的额定值为50%、VDS 最大尖峰为75V
* SR-MOSFET 为 CSD18563Q5A (RDS on ~12m Ω)；
*使用 UCC24612数据表中的 eq 1、次级侧峰值电流(I LOAD)= 4.38A、测得的 SR MOSFET 的最小 RDS on 为23m Ω。
*我使用较大的 RDS on (PSMN059-150Y、115；RDS on = 50m Ω)来更改 SR-MOSFET、但使用这种新的 MOS 时、没有比例栅极驱动器、因此 VDS 尖峰远高于先前的 MOS (133V 与75V)。

我的问题是：
*我处理 VDS 尖峰的方法是否错误？我可以使用缓冲器来抑制尖峰、但我希望确保在设计中使用合适的 MOSFET
*在设计系统时、我是否错过了一些重要的内容？
* UCC24612-2是否适合反激式低侧 SR CCM 模式(25W 负载)？

* CSD18563Q5A VDS、CCM 期间的 Vgs

* PSMN059 VDS。 CCM 期间的 VGS

谢谢你

3 年多前

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2379800 points

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您好、渡轮：

感谢您联系我们。

在讨论之前、我想和大家分享一下、当反激式以 CCM 运行时、VDS 尖峰较高。比例栅极驱动器有助于加快 MOSFET 的关断速度。 VDS 仍受多个 MOSFET 参数的影响、即 Qrr、软性等更改 MOSFET 是一种快速方法、但请记住、不同的 MOSFET 具有不同的 VDS 性能。有时、在使用高 VDS 额定值 MOSFET 后、您会看到更高的 VDS尖峰。

您的方法基本上是正确的、因为您的波形显示了 UCC26412与 CSD18563Q5A 的正确运行

它只需要根据您的设计澄清一些条件。

* 额定功率为25W。但是、您提到的 IPEAK (LOAD)为4.38A。由于输出功率仅为5V*4.38A=21.9W、因此连接到 ME、并且 IPEAK 应高于 Iout。请再次检查 IPEAK。

* 输入电压范围是多少？ VDS 平坦区约为30V。我不确定输入电压。假设此波形测试为110V 交流。回转比约为6。如果此转换器设计为90V~264V 交流。最大 VDS 平坦区为264V*1.414/6+5=65V。 ->60V MOSFET 是不够的。我建议您使用80V~100V MOSFET。如果仅支持90Vac~132Vac。 60V~80V 应该足够了。

* UCC26412适用于 CCM 运行，但 CCM 带来更高的 VDS 峰值，25W 也适用于 DCM 或 QR 反激式。也许您可以在下一个设计中考虑它们。

此致、

许惠仪

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2379800 points

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您好、Wesly、
*很抱歉、我迟到了回复、我正在使用其他 SR-MOS 样片进行一些实验。
*感谢您的全面解释、根据您的解释、然后重新阅读数据表、我更清楚地了解了同步整流器的工作原理。
*我们的 SR-MOS 选择已经解决、感谢您的解释。
*我想知道、在理想的完美设计中、在5V、5A 负载下估算出的输出电压纹波是多少、系统在 CCM 模式下工作。您是否可以介绍任何文档来帮助我们改进设计。
* 。您的问题、我们的输入电压为55V (POE IEEE 802.3at)、目前我们将 UCC24612与 TPS23756搭配使用。由于电流负载的性质、TPS23756系统将在 CCM 模式下工作、因此我们无法将其工作特性更改为 DCM。

感谢您的帮助、

此致、
渡轮

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2379800 points

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您好、渡轮：

感谢您的回复。我会更好地了解您的系统规格。

理想情况下、电压纹波应尽可能小。但是、我不得不说该规格。应取决于终端系统。例如、如果使用该转换器为电池充电。它对输出电压纹波的关注度较低、相反、电流纹波对电池更重要。另一方面、如果电源用于支持降压转换器(即 Vo=3.3V)、高电压纹波可能会导致降压转换器的占空比或关断时间变化更高、这也会影响终端系统的稳定性和效率。

因此很难分辨输出电压纹波的完美设计、它需要考虑很多条件。很抱歉、我不熟悉 PoE 的要求。 50mVpeak-peak (Vo 的10%)或更低、根据我的经验、不能超过100mV。此外、还请考虑环境温度的影响、因为电容在低温下可能会下降很多、从而导致更高的电压纹波。

如果您想了解输出电容器与电压纹波之间的关系、可以在第7页找到公式、如下所示。

使用 TPS55340的隔离式连续导通模式反激

希望我的分享对您有所帮助。

此致、

Wesley

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