主题中讨论的其他器件:CSD18563Q5A、 TPS23756
您好!
*我在 反激式中使用 UCC24612-2作为25W 负载系统中的低侧 SR、Vload = 5V。
*我发现、当具有低侧 SR 在 CCM 下工作的反激式系统(功率负载约为23W)时、SR MOSFET VDS 具有高电压尖峰、超过 MOSFET。Vgs 比例驱动器的额定值为50%、VDS 最大尖峰为75V
* SR-MOSFET 为 CSD18563Q5A (RDS on ~12m Ω);
*使用 UCC24612数据表中的 eq 1、 次级侧峰值电流(I LOAD)= 4.38A、测得的 SR MOSFET 的最小 RDS on 为23m Ω。
*我使用较大的 RDS on (PSMN059-150Y、115;RDS on = 50m Ω)来更改 SR-MOSFET、但使用这种新的 MOS 时、没有比例栅极驱动器、因此 VDS 尖峰远高于先前的 MOS (133V 与75V)。
我的问题是:
*我处理 VDS 尖峰的方法是否错误? 我可以使用缓冲器来抑制 尖峰、但我希望确保在设计中使用合适的 MOSFET
*在设计系统时、我是否错过了一些重要的内容?
* UCC24612-2是否适合 反激式低侧 SR CCM 模式(25W 负载)?
* CSD18563Q5A VDS、CCM 期间的 Vgs
* PSMN059 VDS。 CCM 期间的 VGS
谢谢你