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[参考译文] LM61495-Q1：需要了解 Trise、Tfall & amp；VD

admin
Guru**** 2529560 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1048019/lm61495-q1-need-to-know-trise-tfall-vd

器件型号：LM61495-Q1

作为设计分析的一部分、我们需要使用稳压器 IC LM61495QRPHRQ1的以下参数

  Trise、Tfall - 低侧 MOSFET 上升时间和下降时间

2. 低侧 MOSFET 体二极管的正向电压

您的快速响应将对我们大有帮助。

谢谢您的期待

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    TI__Guru**** 2529560 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    让我与内部团队就此进行核实。

    否则、我可以测量 SW 节点的上升和下降时间。

    这将估算低侧 MOSFET 的噪声和下降、因为高侧导通/低侧关断时、反之亦然。

    当我获得更多信息时、我将会返回给您。

    此致、

    Jimmy

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    TI__Guru**** 2529560 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    在降压转换器中、当高侧打开时、低侧关闭(反之亦然)。

    请参阅下面的、了解12Vin | 3.3Vout | MODE = FPWM| Rboot = 0Ohm 时的 SW 节点波形

    在本例中、高侧 Trise =~9.5ns 且 Tfall =~13.5ns。  

    Rboot 电阻器的控制将减缓器件的上升压摆率。  

    MOSFET 的正向偏置电压应约为0.5V。

    此致、

    Jimmy