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[参考译文] BQ24179:包含共源极 MOSFET 且二极管连接源极和栅极的器件是否有特定名称?

Guru**** 2386620 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24179, BQ25790, BQ25790EVM, TPS25750
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1047936/bq24179-is-there-a-specific-name-for-a-part-containing-common-source-mosfets-with-a-diode-linking-the-source-and-gate

器件型号:BQ24179
主题中讨论的其他器件: BQ25790BQ25790EVMTPS25750

我正在为[TI bq24179电池充电器](www.ti.com/.../bq24179.pdf )设计一个电路、并努力了解连接双电压输入时使用的相反 MOSFET 符号。 下面的屏幕截图:


在数据表中、它们将 ACFET 和 RBFET 都称为 N 沟道 MOSFET、但没有关于二极管的内容。 这是我不知道的共源极 MOSFET 对中的固有寄生二极管还是应该添加的附加组件? 或者、该符号对+二极管是否表示我不知道的某个单个组件?

是否有任何相关的实现指南(即 MOSFET/二极管的要求)?

编辑1:
我注意到、数据表的第8.3.3.3节提到了状态机逻辑、"在 POR 时、充电器检测到所显示的 ACFET1-RBFET1和 ACFET2-RBFET2、然后进行更新
ACRB1_STAT 和 ACRB2_STAT 更改为1。" 它如何检测它们? 我假设 FET 需要满足一些要检测的规格。 这些检测要求是什么?

编辑2:
在 ACDRV1引脚数据表的第5页中、它指出:"当满足开通条件时、充电器通过将 ACDRV1电压提高到 ACFET1和 RBFET1共漏极连接之上5V 以上来开启背对背 MOSFET。" 这不是公共源连接吗? 文本或原理图是否错误、或者我是否误解了某个内容?


  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Christopher、

    BQ24179是 BQ25790的一款器件。  如  需获取原理图和 BOM 方面的帮助、请访问 www.ti.com/.../BQ25790EVM、查看 BQ25790EVM。

    关于1、如果 IC 发现 ACDRVx 引脚在上电时被拉至接地、则它知道未安装输入 FET。

    关于2、您回答正确。  这是数据表拼写错误。  我将提交更正。

    此致、

    Jeff

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    感谢 Jeff。 在发布之前、我查看了评估板、但它并没有真正对双输入源配置有任何启发、因为它似乎会使它们保持空载(不包含双 MOSFET)。

    [引用 userid="10748" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1047936/bq24179-is-there-a-specific-name-for-a-part-containing-common-source-mosfets-with-a-diode-linking-the-source-and-gate/3877301 #3877301"]关于1,如果 IC 发现 ACDRVx 引脚在上电时被拉至接地,则它知道输入 FET 未安装。

    这是否意味着除接地以外的任何东西都被视为已组装? 这是基于电压、阻抗还是什么? 例如、如果 ACDRVx 引脚为0V 或接近0V 但不一定接地、则该寄存器是否会像填充的那样?

    [引用 userid="10748" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1047936/bq24179-is-there-a-specific-name-for-a-part-containing-common-source-mosfets-with-a-diode-linking-the-source-and-gate/3877301 #3877301]2、您答对了。  这是数据表拼写错误。  我将提交以进行更正。

    我假设您的意思是、文本是拼写错误、正确的组件是共源双 N 沟道增强型 MOSFET? 请确认。

    因此、假设共源极双 N 沟道增强型 MOSFET 的唯一要求是:

    • 它可以通过确定其 R_DS 以及到 VBUS 引脚的最大输入电流来散发运行中的热量。
    • V_GS 最大值高于栅极电压(即 ACDRVx (0或5V)和源极电压(即最大 VINx - InputCurrent*R_DS)给出的预期电压。 请确认 ACDRVx 在 GND 和5V 之间切换;我在数据表中发现这种情况不明确。 它是否必须是5V 或某些其他逻辑高电压、由某些寄存器、其他输入电压或主机确定?
    • V_GS_THRESHOLD 小于5V (假设 ACDRVx 导通时实际上为5V)。

    编辑1:
    重新读取 ACDRV1的引脚说明后、我看到它不会是0或5V、而是0或 VIN1+5V。 在最大额定值中、它声称它可以提供高达32V 的电压。 不是我计划围绕它进行设计、而是针对240W、高达48V 的较新 USB-C 标准进行了规划。 BQ24179可以安全地从 USB 上行主机拒绝此类协商、还是会以某种方式失败?

    此致、
    Christopher

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    您好、Christoper、

    BQ25790EVM 安装了 FET、如下所示、位于用户指南第14和17页:

    FET 采用共源配置。  ACDRVx 是电荷泵的输出、其低电平为 VACx、高电平为5V+VACx。  加电时、电荷通过注入一个小电流并寻找从0V 上升的电压来感测 ACDRVx 是否接地。  如果电压升高、电荷泵不会打开。  上面显示的齐纳钳位二极管可保护 FET VGS。

    BQ24179不执行 USB-C 协商。  另一个 USB-C 芯片、如 TPS25750或主机处理器、必须确保芯片的最大输入小于其24V 推荐输入电压、30V 最大输入电压。

    此致、

    Jeff