[参考译文] LMR33630-Q1：离子迁移是否会导致 VT 漂移、这可能使器件在栅极/输入关闭时部分导通？

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1042140/lmr33630-q1-can-ion-migration-occur-resulting-in-a-vt-shift-which-may-allow-the-device-to-be-partially-on-when-the-gate-input-is-off

大家好、

DIN LMR33630-Q1是一款出色的新器件

对于所有集成电路(IC、例如 HSD、LSD 等)、 当器件暴露于负栅源偏置电源时、不会失去对栅极/输入信号的控制。  如果器件存在开路(栅极/输入接近零伏(命令关闭)、且源极通过用于开路检测的输出端的电流源被拉至高电平、或者源极/输出对电池短路)、通常会发生这种情况。  离子迁移是否会导致 VT 漂移、这可能允许器件在栅极/输入关闭时部分导通？