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尊敬的 TI 支持!
我们正在使用 LM5175开发电源:
-输入:19-33V
-输出:24V @ 9A
输出在降压和升压模式下工作正常。
唯一的问题是 LM5175从26V 输入电压汲取大约85mA 的电流、并且在空载条件下变得很热(大约60 C)。
您是否有什么想法可以使大电流消耗减少?
我们在2个硼上进行了测试、猜这不是焊接问题。
谢谢你
此致、
Gabor
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尊敬的 TI 支持!
我们正在使用 LM5175开发电源:
-输入:19-33V
-输出:24V @ 9A
输出在降压和升压模式下工作正常。
唯一的问题是 LM5175从26V 输入电压汲取大约85mA 的电流、并且在空载条件下变得很热(大约60 C)。
您是否有什么想法可以使大电流消耗减少?
我们在2个硼上进行了测试、猜这不是焊接问题。
谢谢你
此致、
Gabor
尊敬的 Brigitte:
感谢你的答复。
现在、我们使用 CCM 模式(我们在过去使用 DCM 模式对其进行了测试、电流消耗略小)
我们有两个工作原型、我们使用不同的输入电压进行了测量。
PCB1: 31V (最大值) 157mA 30V 148mA 29V122mA 28V 120mA 27V135mA 26V161mA 25V193mA 24V 236mA 23V 278mA 22V 161mA 21V 175mA 20V192mA Vvcc = 7.35V PCB2: 31V (最大值) 196mA 30V 272mA 29V217mA 28V 197mA 27V167mA 26V162mA 25V125mA 24V 141mA 23V 189mA 22V 149mA 21V 169mA 20V192mA Vvcc = 7.32V
是的、散热焊盘焊接到 GND 焊盘、并通过通孔连接到 GND 平面
我们可以向您发送原理图和布局吗? 您可以给我发送您的电子邮件地址吗?
谢谢你
此致
Gabor
您好、Gabor、
原理图显示了 LM5176。 您使用的是 LM5176还是 LM5175?
偏置电压由 VOUT 提供。
对于电流消耗测试、如果您可以尝试从外部电源提供偏置电源、那将会非常好。 如果您可以提供9V 电压等、则可以查看器件是否仍然发热。 如果没有、请检查当此电压增加到24V 时器件是否再次变热。
如果器件在偏置时输入电压为9V、则温度升高还有另一个根本原因、而不是内部 LDO。
由于系统中也有12V 电压、因此您也可以使用此电源进行偏置检查、然后检查温度。
此致、
Brigitte
您好、Gabor、
在原理图审阅中、您使用的是哪种电感器? 请注意电感和饱和电流。
由于电容器未组装、因此在看起来断开的时刻、请将 Dith 连接到 GND。
如果您计划新布局、请对原理图添加一般注释:
-例如、如果 EMI 测试需要栅极电阻器、我建议使用栅极电阻器。
-如果需要缓冲器、我建议使用 D4和 D6旁边的缓冲器。
-将 R171与 C55平行放置以禁用抖动。
其余部分只能在了解电感器的情况下进行检查。
此致、
Brigitte
您好、Brigitte、
很抱歉、我们的回复较晚、我们正在进行新的 PCB 设计、并提供您的意见。
我们意识到 BOOT 和 SW 引脚之间缺少2个 TVS 二极管。
在几周前、我们将 LM5175替换为新的一个、它使用了一天的低电流消耗、第二天又再次跳回到高电流。 我希望 TVS 二极管能够解决我们的高功耗和热问题。
感谢您的支持、我将在新的 PCB 原型版本发布后再次为您提供帮助。
我们将电感器更改为3.3 μ H。
此致、
Gabor