[参考译文] BQ51050B：能够#39；t 达到预期输出电流

您好 Alessandro

需要注意以下几点：

1) 1)查看 RECT 引脚与输出电流何时 开始限制、后范围捕获。   

2) 当电流开始限制时、ILIM 引脚上的电压是多少？

3) FOD 设置、R-FOD 的较高值会增加裕度。  可以减小 R-ILIM 以增大 R-FOD

4) 检查 C1电容器的热升、电流越高、小型封装中的损耗就越大。  封装尺寸减小。

5) 您是否在更高的电流下看到 BQ51050B 的热上升问题？

您好 Johns、

在条件下 、Rfod 为200欧姆、Rilim 为50欧姆、Vbat 为3.8V 时充电

I POST 范围捕获：

BQ_03：从开头开始为10 s/div

BQ_04：几分钟后为20ms/div

使用万用表测量的电压为630和730mV。

几分钟后、我会发布热像仪捕获、即使电流在几秒钟内收敛到700mA、芯片、C1和 C2的温度也会或多或少相同。

您好 Alessandro

1) 1)查看 RECT 引脚与输出电流何时 开始限制、后范围捕获。  --这看起来不错

2) 当电流开始限制时、ILIM 引脚上的电压是多少？ -- ILIM 引脚上的电压看起来很低，应该大约为1.2V

3) FOD 设置、R-FOD 的较高值会增加裕度。  可以减小 R-ILIM 以增大 R-FOD

4) 检查 C1电容器的热升、电流越高、小型封装中的损耗就越大。  封装尺寸越大、尺寸越小。--热性能看起来不错

5) 您是否在较高电流下看到了 BQ51050B 的热上升问题？-热 感看起来不错。

在示波器图上，我们可以看到通信电流限制会在通信脉冲期间降低输出电流--这是正常的。

为了进行电流调节、ILIM 上的电压应该大约为1.2V、但是运行低电平。  如果 RX 低于目标、则应要求 TX 提供更大功率、数据包之间的时间应约为30mS、我认为它正在运行250ms。  250ms 正常、30ms 表示大错误。

您好 Johns、

我可以发布其他捕获、您可以在其中更好地看到通信过程。 每 1650ms 有两个间隔约为65ms 的连续事件。 事件持续30ms。 是这样吗？ 我应该期待什么？

感谢示波器捕获--它们很好。

我们可以看到、数据包之间的时间为250ms、这是正常时间。  如果您看一下启动(无需开机自检)、时间大约为30ms。

这些数据包是控制错误数据包(CEP)、它们通过目标矩形电压告知 TX 错误量。  假设它们是发送给 TX 的反馈信号。

此外、关闭的两个数据包也可以、不是问题。   

双数据包是 CEP 和接收到的电源数据包、这个额外的数据包将告诉 TX RX 接收到多少功率并用于 FOD。  此数据包的发送速率较低。  FOD 引脚上的电压决定了这个值。

但没有明确指示导致低输出电流的原因。   

ILIM 电压低于目标电压、但 RX 不要求更多功率。  这是您在电压锥形配置中看到的典型情况、其中电池已达到4.2V。  

ILIM 引脚上的电压是输出电流的一个样本、比率为262至1。  R-ILIIM 和 R-FOD 上产生的电压将设置电池的快速充电或恒定电流。   

您是否在其他 TX 中看到过这种情况？

您好 Johns、

我测试了另一个 TX、结果是相同的。

我将 Rfod 增大到了220欧姆(Rilim 33欧姆)、没有任何变化

我用1nF // 2.2nF 替换了并联3.3nF 电容器、但没有改变。

我可以看到、电流越高、线圈和 TX 之间的间隙就越大、但不是恒定的、正如您在示波器捕获中看到的。 我也看到了使用原始组件值时的情况。

有什么建议吗？

只需确保检查 IC 的 BAT 引脚和 IC 的接地引脚上的电压或非常靠近引脚的电压。  我在 BAT 和接地增加电压的连接中看到电阻、并且单元将提前进入恒定电压阶段。  这在较高电流时更是一个问题。

该单元的工作方式与 CV 模式类似。

我将使用 E2E PM 选项与您联系。