[参考译文] LM7480-Q1：Vcap 未开启。 Vs 仅达到4V。

您好、Tom、

我知道您正在测试如下所示的共源极拓扑电路、

从输入到 VS 引脚只有 R1、D1和 CVS。 根据 RC 时间常数、VS 处的电压在稳定状态下应达到 Vin 值(只要 Vin < D1齐纳钳位电压)。

您是在 EVM (LM74800EVM-CS)还是其他电路板上进行测试？ 您能否分享所测试电路的确切原理图(包括电路连接和元件值)？ 根据您的原理图、我有兴趣在启动和稳态条件下查看几个信号(如 Vin、VS、A C、HGATE 和 DGATE)。

15.5V 输入 H_Gate

12.8V 输入 H_Gate

15.5V 输入 D_Gate

12.8V 输入  D_GATE

15.5V 输入 VS_Gate

12.8V 输入 VS_Gate

您好、Tom、

感谢大家分享原理图。 请查看我在下面对原理图的评论、

1. 由 HGATE 驱动的 FET 的额定电压必须为200V、才能承受未抑制的负载突降。
2. 将一个二极管从公共源极点(A/OUT 引脚)连接到 VS (如数据表原理图中所示的 D2)。
3. 在引脚与 GND 之间连接一个1uF 电容器

如需更多地了解电路组件选择、请参阅数据表的"10.3 200V 未抑制负载突降保护应用"部分。  

请为 您共享的波形中的所有信号命名。 此外，您是否有 Vin 和 VS 的波形捕获？

D2和 CA 如图10-25所示、但 数据表中没有说明对它们的任何需求。  

我在每块电路板上都有两个相同的电路。 每个 HGate 都快速启动、另一个 DGate 不会跳升至22V、但在输入电压为12V 时仍保持在15V、直到我在输出端放置一个5A 负载。 然后、DGate 电压从15V 跃升至22V。 当 DGate 跳至22V 时、VS 将从11V 降至10V。

我按照前面所述测量电压跳变之前的说明添加了二极管和电容器。