[参考译文] LM25149-Q1：有关 MOSFET 驱动能力的问题

库里莫托-圣

0.1uF 引导电容器正常。 在关断期间充电无问题。 在低输入电压下、使用一个低压降肖特基自举二极管来最大限度地增加栅极驱动轨(当输入电压= 4V 时、该电压将为~3.6V)。 FET 应具有较低的米勒平坦区、以便能够在如此低的输入电压下充分切换。

注意您可以使用 LM25149-Q1快速入门计算器来查看功率损耗和效率性能。

此致、

Tim

库里莫托-圣

引导二极管压降应随着引导充电电流减小而减小、这意味着引导电容器电压增大。 此外、当 SW 在死区时间内变为低电平时、它可能会略微峰值充电。 最终、自举电源轨的电压范围为4.5V 至5V。

此致、

Tim

库里莫托-圣

该 MOSFET 在 Vgs = 5V 时的 Qg 为20nC。对于开关时间而言、更重要的是6nC 的 Qgd。

更具体地说、在开关电压转换期间、FET 的栅极电压被钳位在米勒平坦区(对于该 FET 为~3V)、因此存在~2V 的过驱。 这适用于有效串联栅极电阻、其中 Igate = CgD*dv/dt =(5V - 3V)/3.5Ohms =~0.6A (栅极驱动器允许0.5欧姆、包括该 FET 的内部 Rgate = 3欧姆)。

0.6A 至6nC 的 dv/dt 为0.1V/ns、因此12V 输入的典型电压上升时间约为120ns。考虑到高 Rgate (应为~1 Ω)且该 Rdson 电平的 Qgd 较高、因此这是一个非常慢的 FET。

此致、

Tim

库里莫托-圣

当我在最后一步中发生错误时、计算结果看起来正确。 这些是电压转换时间的计算。 还有一个与 FET 的跨导相关的电流压摆率(电流转换时间通常小于电压转换时间)。

此致、

Tim

听起来不错-谢谢！