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请参阅 TIDA-010224 - 低功耗无线摄像头参考设计
我看到(U3) LM66100DCKT 输入引脚前面有(Q1) SI23DS
LM66100 mΩ 说明书将其描述为"具有输入极性保护功能的5.5V、1.5A、79m Ω、低 IQ 理想二极管"
除了 U3输入极性保护之外、为何还需要/使用 Q1/FET?
我看到它(FET)不在 LM66100EVM 中使用-因此更奇怪...
请提供建议。 谢谢。
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请参阅 TIDA-010224 - 低功耗无线摄像头参考设计
我看到(U3) LM66100DCKT 输入引脚前面有(Q1) SI23DS
LM66100 mΩ 说明书将其描述为"具有输入极性保护功能的5.5V、1.5A、79m Ω、低 IQ 理想二极管"
除了 U3输入极性保护之外、为何还需要/使用 Q1/FET?
我看到它(FET)不在 LM66100EVM 中使用-因此更奇怪...
请提供建议。 谢谢。
感谢 Kalin、
如果我理解正确-不需要 PMOS 来保护(2个 LM66100)或说明部分的原因、但由于 V_VBAT 已扩展至 U20且 TPS22919不支持 RPP、这是正确的吗?
换言之、如果我的应用(不同于 TIDA-010224)仅需要来自一次电池(3.6V)或 USB (5V)的单电源 VBAT、 则会在两者之间自动切换(LM66100)。 就是这样! 在这种情况下-我不需要 PMOS (就像在 LM66100EVM 设计中一样)、对吧?