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我将使用 LMG1210在类似于降压转换器的转换器中驱动 EPC2045。 内部 LDO 被旁路、由工作台电源提供5V 电压。 BAS170W 用作自举二极管。 开关频率为3MHz。
我运行了原型、并注意到 HO 电压比 LO 电压小~ 1V。 它是由 bootsrap 二极管的正向压降引起的吗? 我是否可以更改其他任何内容以减小此压降?
谢谢
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我将使用 LMG1210在类似于降压转换器的转换器中驱动 EPC2045。 内部 LDO 被旁路、由工作台电源提供5V 电压。 BAS170W 用作自举二极管。 开关频率为3MHz。
我运行了原型、并注意到 HO 电压比 LO 电压小~ 1V。 它是由 bootsrap 二极管的正向压降引起的吗? 我是否可以更改其他任何内容以减小此压降?
谢谢
Cong、
感谢您的支持!
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如果您的测量以 GND 为基准、HO 电压应始终大于 LO (假设您以足够的速度和占空比进行开关)、以便自举电容器能够进行足够的充电。
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一个问题是、您还有一个自举电容器还是一个大小合适的电容器? 通常、0.1uF 是一个良好的开始。
如果这不是您的问题、请遵循原理图、以便我更好地分析您的电路。
谢谢!
Aaron Grgurich
您好、Aaron、
感谢您的快速响应。 我测量的是高侧开关的栅极-源极电压、在上一个柱中、该电压被标记为 HO 电压。 很抱歉造成混淆。 我测量了自举电容器两端的电压、并且没有看到自举电容器两端出现任何明显的压降。 电压范围约为4V 至4.1V。 根据1210数据表中的指导、理论电容值小于10nF。 然后、自举电容的大小适当为0.1uF。 我还尝试了1uF、得到了相同的测试结果。
1.您能否为估算自举二极管引起的压降提供指导?
2.如果您不介意多花一点时间来理解设计、我很乐意与您分享原理图。 能否提供电子邮件地址?
谢谢!
控制
Cong、
好的、这听起来好像设置正确。
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1) 1) 关于自举二极管、压降;这将取决于通过该二极管的电流。 下面是 BAS170W 二极管数据表的屏幕截图。 电流消耗可能会将压降推高;您可以考虑为您的应用使用"更好"的二极管(压降更小);但知道这通常会带来折衷。
要了解使用的电流大小、请参阅 LM1210数据表的"8.2.2.5计算功率耗散"部分。
您将需要参考所驱动 FET 的数据表、以获取栅极电荷规格。
我希望电流消耗是您看到电压下降的原因。
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我希望这对您的问题有所帮助和解答。 如果您的问题得到了解答、请按绿色按钮、否则请随时跟进。
谢谢、
Aaron Grgurich
Cong、
很高兴我能提供帮助!
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关于 使用 LMG1210获得更高的 HO 栅极电压、唯一的方法 是获得可获得的最低压降肖特基二极管。 (您刚才已经做过) 肖特基二极管由于具有固有的低正向电压、因此通常是适合此应用的方法。
另一种方法是使用不同的半桥驱动器、该驱动器不会限制您使用 LMG1210的内部5V LDO。 根据您的应用、您可以查看其他半桥驱动器、例如 UCC27200。 栅极驱动电压基于向 IC 提供的 VDD。
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我希望这对您有所帮助!
Aaron Grgurich
您好、Aaron、
(1)我正在查看 LMG1210数据表中的图20。 我看到 HO 和 LO 均为5V。 自举二极管导致的压降很小。 我是否可以知道它是什么电路以及使用了哪个二极管?
(2)在同一数据表中、您能否在第5页的欠压锁定部分定义上升/下降阈值?
(3)肖特基二极管也会损害 HO (栅源极电压)、这让我有点惊讶。 据我所知、最佳的肖特基二极管会导致0.3V 的压降、从而在实际应用中驱动 GaN。 这意味着高侧 GaN 永远不会看到5V Vgs、这是最大程度地减小 Rdson 的最佳电压电平。 我在这里错过了什么吗?
感谢您的帮助!
控制
Cong、
1) 1)使用的电路可能是我们用于电路板的 EVM (评估模块)、电路的一部分如下所示。 EVM 的用户指南和订购详细信息可在 LMG1210产品页面上找到。
使用的二极管是 BAT46WJ、115。 它似乎没有比您拥有的要好得多。
2) 2) 我们在 这里有一篇关于欠压锁定的技术文章。 上升阈值是指为了使器件保持"快乐"并按其应有的方式运行、所需的指定引脚上的电压。 下降阈值是指指定引脚上的电压将导致器件进入"锁定"状态并基本上关闭、以保护功率晶体管下游。 这两个电压之间的差值称为"迟滞"、值得关注。 它基本上是两个阈值之间的"缓冲器"、因此、如果电压接近其中一个阈值、器件会在两个状态之间振荡。
3) 3)是的、这是自举拓扑的固有特性。 此处的数据表中考虑了大约0.3V 的压降:
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我希望这能为您澄清问题!
谢谢、
Aaron Grgurich