我将使用 LMG1210在类似于降压转换器的转换器中驱动 EPC2045。 内部 LDO 被旁路、由工作台电源提供5V 电压。 BAS170W 用作自举二极管。 开关频率为3MHz。
我运行了原型、并注意到 HO 电压比 LO 电压小~ 1V。 它是由 bootsrap 二极管的正向压降引起的吗？ 我是否可以更改其他任何内容以减小此压降？
谢谢
Cong、
好的、这听起来好像设置正确。
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1) 1) 关于自举二极管、压降；这将取决于通过该二极管的电流。 下面是 BAS170W 二极管数据表的屏幕截图。 电流消耗可能会将压降推高；您可以考虑为您的应用使用"更好"的二极管(压降更小)；但知道这通常会带来折衷。
要了解使用的电流大小、请参阅 LM1210数据表的"8.2.2.5计算功率耗散"部分。
您将需要参考所驱动 FET 的数据表、以获取栅极电荷规格。
我希望电流消耗是您看到电压下降的原因。
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我希望这对您的问题有所帮助和解答。 如果您的问题得到了解答、请按绿色按钮、否则请随时跟进。
谢谢、
Aaron Grgurich
Cong、
1) 1)使用的电路可能是我们用于电路板的 EVM (评估模块)、电路的一部分如下所示。 EVM 的用户指南和订购详细信息可在 LMG1210产品页面上找到。
使用的二极管是 BAT46WJ、115。 它似乎没有比您拥有的要好得多。
2) 2) 我们在 这里有一篇关于欠压锁定的技术文章。 上升阈值是指为了使器件保持"快乐"并按其应有的方式运行、所需的指定引脚上的电压。 下降阈值是指指定引脚上的电压将导致器件进入"锁定"状态并基本上关闭、以保护功率晶体管下游。 这两个电压之间的差值称为"迟滞"、值得关注。 它基本上是两个阈值之间的"缓冲器"、因此、如果电压接近其中一个阈值、器件会在两个状态之间振荡。
3) 3)是的、这是自举拓扑的固有特性。 此处的数据表中考虑了大约0.3V 的压降：
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我希望这能为您澄清问题！
谢谢、
Aaron Grgurich
