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[参考译文] TPS746-Q1：TPS74633PQWDRVRQ1 3.45v 电压输出

admin
Guru**** 2538950 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS746EVM-009, TPS746

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1016091/tps746-q1-tps74633pqwdrvrq1-3-45v-voltage-output

器件型号：TPS746-Q1
主题中讨论的其他器件：TPS746EVM-009、 TPS746

您好！  

我 在设计中使用 TPS74633PQWDRVRQ1 来提供便携式设备、如下所示。 当输入电压来自锂聚合物电池 (输入电压~ 3.4-4.2V)时、输出电压为~3.3V。 但是、当我从 VBUS (输入电压~ 4.5-5V)供电时、输出固定为3.45v。 我想知道 这里发生了什么。  

另一个问题是我使用开关来传输 EN 信号。 如果输入电压来自电池、则当 EN 连接到 GND 时、开关工作正常、芯片的输出为0v。 当输入电压来自 VBUS 时、即使 EN 信号 连接到 GND、芯片也会产生输出、无论 EN 信号如何、输出都是3.45v。  

谢谢。

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    TI__Guru**** 2538950 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Daryl：  

    感谢您的耐心、对于延迟回复、我深表歉意。  

    [引用 userid="491296" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1016091/tps746-q1-tps74633pqwdrvrq1-3-45v-voltage-output ] 我在设计中使用 TPS74633PQWDRVRQ1 来提供便携式设备、如下所示。 当输入电压来自锂聚合物电池 (输入电压~ 3.4-4.2V)时、输出电压为~3.3V。 但是、当我从 VBUS (输入电压~ 4.5-5V)供电时、输出固定为3.45v。 我想知道 这里发生了什么。[/引述]

    当您使用 VBUS 时、您是否看到3.45V 保持在那里、或者在一段特定的时间后、它会将电压调节至3.3V？ 由于某种原因、器件处于压降模式。  

    [引用 userid="491296" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1016091/tps746-q1-tps74633pqwdrvrq1-3-45v-voltage-output ]另一个问题是我使用开关发送 EN 信号。 如果输入电压来自电池、则当 EN 连接到 GND 时、开关工作正常、芯片的输出为0v。 当输入电压来自 VBUS 时、即使 EN 信号 连接到 GND、芯片也会产生输出、无论 EN 信号如何、输出都是3.45v。  [/报价]

    您是否曾尝试移动开关以使 EN 信号更接近 IN 和电容器之后？   

    使能端的 VHI 为1V、禁用端的 VLO 为0.3V。 除非在进行测试时电容器未完全放电、否则这可能会导致问题、从而进入压降模式。 从数据表第20页的第7.4.3节：

    '当器件处于稳定的压降状态(定义为当器件处于压降、VIN < VOUT (NOM)+ VDO (在处于正常稳压状态之后、但不在启动期间)时、导通晶体管被驱动到欧姆区或三极区。 当输入电压返回到大于或等于标称输出电压加上最小压差(VOUT (NOM)+ VDO)的值时、输出电压可能会过冲很短的时间、而器件会将导通晶体管拉回到线性区域。"

    如果您不以任何方式处于压降模式、这是一种奇怪的行为。 让我尝试一下、看看我是否找到了一些样片、以便我可以在实验室中测试这些样片。 我会尽快回复您。  

    最棒的  

    Edgar Acosta

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    TI__Guru**** 2538950 points
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    尊敬的 Daryl：  

    我去实验室测试了 TPS74601、这是可调版本。

    我还使用直流电源为器件供电。 以下是 TPS746EVM-009评估模块的原理图：

    我更改了 Cin 和 Cout 以匹配原理图中的值、并删除了 C5、因为您没有 CFF。 此外、EN 还具有一根跳线、允许我将 EN 引脚连接并断开与 Vin 或 GND 的连接、用作开关。 PG 引脚可接地或保持悬空、为简单起见、I 将 PG 悬空。  

    我在 EN=GND 和 EN=VIN 的情况下在3.3V 至5V 范围内测试了器件、并且没有看到任何奇怪的行为。  

    是否可以进行 A-B-A 交换？ 和/或从电路板上移除 LDO 并自行测试？  

    最棒的  

    Edgar Acosta。

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    TI__Guru**** 2538950 points
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    您好、Edgar：

    当我使用 VBUS 时、我得到的是3.45固定值、它不会随时间的变化而变化。  

    您是否曾尝试移动开关以使 EN 信号更接近 IN 和电容器之后？  我不明白你在这里的意思。 但是、我在两种状态下测量了 EN、它为~0v、但芯片仍然产生3.45v。 此外、当开关连接到 GND 时、电容器与 EN 信号完全断开。

    我还在两次测试中验证了 VIN 为4.5和5V、两种设置都在输出电压中产生了3.45V 电压。

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    TI__Guru**** 2538950 points
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    我进行了 A-B-A 交换并尝试了4个不同的板、它们都具有相同的行为。 我还在电路板上只焊接了这个芯片、以确保其他组件没有任何问题、我也遇到了同样的问题。

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    TI__Guru**** 2538950 points
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    尊敬的 Daryl：  

    您是否有任何其他电源轨进入 LDO 的输出、即5V 电源轨？ 从您描述的内容来看、在某个地方可能会出现泄漏。

    [引用 userid="491296" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1016091/tps746-q1-tps74633pqwdrvrq1-3-45v-voltage-output/3757791 #3757791]此外、仅将此芯片焊接在电路板上

    您是否焊接了新器件？ 此板是相同的布局还是完全不同的板？  

    您是否可以为 GND 和 Vin=Ven 场景提供 Vin、Ven、Vout VBUS 的示波器截图？

    此外、是否可以在不使用电路板的情况下测试 TPS746 LDO？ 如果您不使用 Cout、这是可以的、Vout 可能不那么稳定、但它应该是一个快速打开/关闭情况、只是为了从 LDO 获取读数。

    我建议使用 TPS746 EVM 板进行一些测试、并将其用作控制单元。  

    最棒的  

    Edgar Acosta

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    TI__Guru**** 2538950 points
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    嗨，Edgar

    我没有 EVM。 我在同一设计中使用了三种不同的板。 然后、只焊接了芯片、而没有器件的其他组件(与裸芯片相同？) 所有这些都是一致的3.45v

    此外、如果存在泄漏、那么当我从 LiPo 供电时、为什么它(EN 和 Vout)工作正常？

    [引用 userid="479152" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1016091/tps746-q1-tps74633pqwdrvrq1-3-45v-voltage-output/3758163 #3758163"]是否可以提供 GND 和 Vin=Ven 场景的 Vin、Ven、Vout VBUS 示波器截图？[/quot]

    是的、我可以稍后拍摄一些示波器截图。

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    TI__Guru**** 2538950 points
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    [引用 userid="479152" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1016091/tps746-q1-tps74633pqwdrvrq1-3-45v-voltage-output/3758163 #3758163"]是否有任何其他电源轨进入 LDO 的输出、即5V 电源轨？

    我在整个设计中仅使用3.3V 电压。

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    TI__Guru**** 2538950 points
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    [引用 userid="491296" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1016091/tps746-q1-tps74633pqwdrvrq1-3-45v-voltage-output/3758176 #3758176">我没有 EVM。 我在同一设计中使用了三种不同的板。 然后、仅焊接了芯片、而没有器件的其他组件(与裸芯片相同？)[/quot]

    我要求使用裸片的原因是完全排除了电路板。 根据原理图、Vbus 和 Vbat 不是相同的线：

    您将为 P-FET 的栅极提供 VBUS、并为漏极提供 VBAT。  

    除非在为 VBUS 供电时电路板中有一条迹线会在 FET 与 LDO 之间产生这种泄漏、否则这就是为什么我问您是否可以在没有电路板的情况下测试 LDO、并查看其行为是否仍然相同的原因。  

    最棒的  

    Edgar Acosta

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    好的、感谢您的详细阐述。 当您说从 FET 到 LDO 的泄漏时、您确切地认为哪一部分可能会导致这种情况(哪个信号？)。 我可以检查可能导致这种情况的布线之间的电阻。

    此外、我在移除 FET 的情况下进行了测试、并在 FET 替换为另一个齐纳二极管的情况下进行了测试、两者的结果均为3.45v。

    谢谢、

    Daryl

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    TI__Guru**** 2538950 points
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    您好 Daryl、  

    从原理图的角度来看、它看起来不错。 我已经向其他工程师展示了该电路、并同意、但有人指出您的原理图中有 FB 引脚、您使用的是固定版本还是可调版本？   

    您是否可以共享 PCB 布局？ 您使用的是1层还是2层？  

    您的所有 GND 是否连接在一起？

    检查 VBUS 线路、查看系统中是否存在与其他部件短路的情况、因为您看到了问题。  

    如果 VBUS 和 EN 的 GND 不同、这可能会导致一些浮点、尽管这种情况不太可能发生。  

    由于您用二极管替换了 PMOS、但仍然看到此行为、因此请检查栅源极线路的导通性、并查看 EN 到 GND 时是否存在短路。  

    最棒的  

    Edgar Acosta

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    [引用 userid="479152" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1016091/tps746-q1-tps74633pqwdrvrq1-3-45v-voltage-output/3758378 #3758378a]Schematic 视图中的内容看起来不错。 我已经向其他工程师展示了该电路、并同意、但有人指出您的原理图中有 FB 引脚、您使用的是固定版本还是可调版本？   [/报价]

    FB 为 nA、我使用的是固定版本。

    [引用 userid="479152" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1016091/tps746-q1-tps74633pqwdrvrq1-3-45v-voltage-output/3758378 #3758378]您 是否可以共享 PCB 布局？ 您使用的是1层还是2层？  [/报价]

    4层内部层用于3.3V 和 GND

    [引用 userid="479152" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1016091/tps746-q1-tps74633pqwdrvrq1-3-45v-voltage-output/3758378 #3758378"]是否所有 GND 都连接在一起？

    是的、现在测试了所有内容。

    [引用 userid="479152" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1016091/tps746-q1-tps74633pqwdrvrq1-3-45v-voltage-output/3758378 #3758378"]由于您用二极管替换了 PMOS、但仍会看到这种行为、因此请检查栅极到源极线路的导通性、并查看 EN 到 GND 时是否存在短路。  [/报价]

    我完全移除了 FET (因为它只通过 VBAT)、我有同样的问题。

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    您好 Daryl、  

    感谢您共享布局的图像。  

    [引用 userid="491296" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1016091/tps746-q1-tps74633pqwdrvrq1-3-45v-voltage-output/3761245 #3761245"] 4层内层用于3.3V 和 GND[/quot]

    只需确认一下、所有4层中都存在 GND、还是仅存在一个 GND 层？  

    您是否可以发送实际文件以便我更好地检查它、看起来 VBUS 是一个大平面、并且可能会干扰其他东西。  

    如果您能够自行测试 LDO、这将有助于确定电路板中是否存在可能的泄漏或 LDO 未正确调节。  

    最棒的  

    Edgar Acosta

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    您好、Edgar：

    我无法进行测试、因为我没有评估模块。  

    是否有办法将文件秘密发送给您？

    谢谢。

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    [引用 userid="479152" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1016091/tps746-q1-tps74633pqwdrvrq1-3-45v-voltage-output/3761351 #3761351"]要确认所有4层中都存在 GND、还是仅一个 GND 层？  [/报价]

    是的  

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    尊敬的 Daryl：  

    [引用 userid="491296" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1016091/tps746-q1-tps74633pqwdrvrq1-3-45v-voltage-output/3762728 #3762728"]我无法对其进行测试，因为我没有评估模块。

    我明白了、让我浏览一下这些文件、看看我能找到什么。  

    [引用 userid="491296" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1016091/tps746-q1-tps74633pqwdrvrq1-3-45v-voltage-output/3762728 #3762728"]是否有办法将文件秘密发送给您？

    当然、我刚刚向您发送了一个朋友请求、请接受、这样我们就可以有一个临时的私人消息会话。

    最棒的  

    Edgar Acosta