[参考译文] TL494：技术问题

您好！

使用 TL494时、110V、110V 上9%的变化也不算太差。 我预计、在经过生产测试时、由于温度、容差和工艺的原因、变化很可能会更严重。 您是否具体考虑过振荡器和基准电压变化？ 参考电压为4.75V <VREF<5.25V, contributing a 10% contribution from this one parameter alone. 您的原理图看起来电气上是正确的、但有一些意见可能会改善您看到的精度问题：

1. 为 RT 使用0.1%设置电阻器
2. CT 电容器使用 NPO 电介质、并确保所有陶瓷电容器上的额定电压至少是施加电压的2倍或更多
3. 交流开关 MOSFET 上的栅极电阻器 Q22-23、Q24-25非常大-这是有意设计的、因为这会导致非常长的导通延迟、当您考虑 MOSFET 的非线性动态开关行为时、无法准确管理该延迟  

此致、

Steve M

您好！

感谢您的响应、但 TI 对此案例的支持将仅限于控制器及其在您的应用中的功能。 TL494用于许多逆变器应用、我希望它能以您目前提供的技术规格出色表现。 在设计调试过程中、请尝试确定可能会导致调节不准确性的区域。 我曾尝试强调过几个、您的 MOSFET 整流器级的时序可能只有一个。 如果您发现时序、非线性效应等方面的问题、还应咨询 MOSFET 制造商、以获得他们关于器件选择的建议。  

Steve