[参考译文] LM74610-DQEVM：LM74610-DQEVM

您好、Tim、

是的、增加并联 FET 的数量将提高电流处理能力。 可流经 FET 的实际电流取决于布局(RQJA)、气流/冷却、系统中的最高环境温度等。

输出电压偶尔会下降(占空比约为2%)、这是因为 LM74610-Q1关断栅极。 这样做是特意设计的、以便内部电荷泵可以使用 FET 体二极管压降为电容器充电。 如需更多了解、请参阅数据表中的"7.3特性描述"部分

如果您不希望 Vout 出现压降、可以考虑使用 LM74700-Q1、该器件具有稳定的栅极驱动、但与 LM74610-Q1相比、附带 GND 引脚和更高的 IQ。

您好 Praveen、

LM74700-Q1、如果我在应用负载12V/90-100A 下使用3个或4个 FET 与每个 FET Rdson 并联、电阻约为1m Ω、 那么、我需要大于70A 的极高负载电流、以便在 FET 上保持20mV 的压降、否则 FET 不会完全导通、对吧？  是否有其他控制器需要远低于20mV？

谢谢、

Tim    

您好 Praveen、

只是想澄清一下- LM74610-Q1或 LM74700-Q1需要 FET (D-S)两端的20mV 压降才能使控制器完全导通 FET，对吧？  如果是这样、 对于 Rdson 较低的1m Ω FET、它将要求负载至少为20A (20mV/1m Ω Rdson)。   是否可以让 FET 在 轻负载(例如< 20A)时以较低的 Rdson (例如1m Ω)完全导通 FET？

谢谢、

Tim   

您好 Praveen、

只是想澄清 FET 上20mV 的压降(D-S)- LM74610-Q1或 LM74700-Q1需要20mV 的电压才能使控制器完全导通 FET，对吧？  如果是、 对于 Rdson 较低的1m Ω FET、它将要求负载至少为20A (20mV/1m Ω Rdson)。   那么、是否可以在 轻负载(例如< 20A)时完全导通具有低 Rdson (例如1m Ω)的 FET？

谢谢、

Tim   

您好、Timothy、

LM74700-Q1具有线性栅极控制、因此可调节栅极电压、从而将 FET  RDS _(on) x ILOAD   保持在20mV。 因此、即使 FET 未完全导通/增强、FET 上的压降也是恒定的、因此功率损耗不是很明显。  

如果客户希望无论负载电流如何都完全导通栅极、则可以考虑在仅理想二极管配置中使用 LM74801-Q1。  

要进一步了解线性栅极控制和滞后 开/关控制之间的差异、客户可以查看 理想二极管基础知识 应用手册的"6.1线性稳压控制与滞后开/关控制"部分

您好 Praveen、  

我找不到或找不到您的解释...或者您是否已将其发送给我？

谢谢、Tim

您好、Timothy、

LM74700-Q1具有线性栅极控制、因此可调节栅极电压、从而将 FET  RDS _(on) x ILOAD   保持在20mV。 因此、即使 FET 未完全导通/增强、FET 上的压降也是恒定的、因此功率损耗不是很明显。  

如果客户希望无论负载电流如何都完全导通栅极、则可以考虑在仅理想二极管配置中使用 LM74801-Q1。  

要进一步了解线性栅极控制和滞后 开/关控制之间的差异、客户可以查看  理想二极管基础知识 应用手册的"6.1线性稳压控制与滞后开/关控制"部分