[参考译文] UCC21750-Q1：关于 UCC21750钳位引脚连接和 DESAT 连接详细信息

尊敬的 Dimitri James：

早上好。

非常感谢您的回复。

[引用 userid="439106" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1040581/ucc21750-q1-regarding-ucc21750-clamp-pin-connection-and-desat-connection-details/3848130 #3848130"]

我们能否像 TIDA-01606中的 ISO5852S 那样将 UCC21750钳位引脚与 SiC MOSFET 的 COM/源极相连？

除非使用单极电源、否则不应将其连接到 COM/ SOURCE /GND2。 如果使用双极、它可以连接到 VEE2、但请记住、这实际上会禁用该功能。  

由于您正在驱动 SiC、我建议您将其直接连接到栅极！

[/报价]

好的、我们将在上面的所有设计和仿真中进行仿真。

[引用 userid="439106" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1040581/ucc21750-q1-regarding-ucc21750-clamp-pin-connection-and-desat-connection-details/3848130 #3848130"]

2)我们是否可以在 UCC21750 DESAT 连接中允许 TIDA-01606的 IS05852S 进行相同的 DESAT 连接(包括100pf 电容器、12V 齐纳二极管、1K 电阻、3V 齐纳二极管与反向电压阻断二极管串联)？

您可以。 只需确保阻塞二极管首先超出直流总线电压、您还可以执行一些纸质计算/仿真来验证检测时间。  

[/报价]

我们仍在研究通过参考 TIDA-01606设计获取的该 DESAT 连接类型的仿真。

我们会回来的。

非常感谢您的回复。

Girish K

尊敬的 Dimitri James：

下午好。

我们已向您发送了私有消息中的仿真文件。

请检查。

非常感谢。

Girish K

您好、Girish、

感谢大家的观看。 我们将检查这些信息、并在周二之前返回给您。

此致、

Don

Girish、  

我只收到了一组文件、大概是2 pspice。  

请检查您已打开的另一个主题。 如果两个文件都相同、请告诉我、那么为了清晰起见、我可以关闭其中一个线程。  

最好

Dimitri

尊敬的 Don Dapkus：

早上好。

请检查这些仿真文件、并为我们提供一些关于我们所做的错误的见解。

您的团队意见对我们非常重要、我们将等待您的回复。

有关您的信息、有3个仿真 zip 文件、

基于 IS5852S 的驱动器仿真可在高达550个输入下工作、仿真时间大约为5小时、完成20ms 的仿真。

UCC21750 (基于未加密模型)和 UCC21750 (基于加密模型)仿真仅适用于100V 输入(在额定电压为600V 时不工作)、仿真时间大约为8至几小时。

请检查。

非常感谢。

Girish K

尊敬的 Dimitri James：

早上好。

[引用 userid="439106" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1040581/ucc21750-q1-regarding-ucc21750-clamp-pin-connection-and-desat-connection-details/3850298 #3850298]I 仅收到一组文件、大概为2 pspice。  [/报价]

我将检查并再次发送给您。

谢谢你

Girish K

谢谢、Girish！

此致、

Don

尊敬的 Don：

早上好。

我们正在等待您的回复。

祝你度过美好的一天！

谢谢你

Girish K

大家好、我正在研究这个问题、并将通过 Tommorow PM 进行回复。  

最好

Dimitri

尊敬的 Dimitri James：

早上好。

感谢您的回答。

祝你度过美好的一天！

谢谢、

Girish K

您好、Dimitri、

早上好。

非常感谢 您的回答。

[引用 userid="439106" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1040581/ucc21750-q1-regarding-ucc21750-clamp-pin-connection-and-desat-connection-details/3855615 #3855615"]

我已使用以下选项成功运行仿真

*计算初始偏置点

* ITL4至10

[/报价]

 上述解决方案是 ISO5852S 的一项良好改进、可模拟高达600V 的额定电压。

但我们需要 UCC21750的解决方案。我们仿真了 ISO5852S、因为 UCC21750和 ISO5852S 在许多方面都很相似。因此仅供参考、我们仿真了 ISO5852S 驱动器。

我们最初的问题是、我们为什么无法仿真基于 UCC21750的电路。

请查看我们发送给您的基于 UCC21750驱动程序的仿真。

谢谢、

Girish K

Girish、  

我将 ISO5852S 测试台中的驱动程序更改为 UCC21750并运行它。  

您能否尝试此操作以及我提到的步骤、并确认此操作是否继续无效？

最好

Dimitri

尊敬的 James：

早上好。

我已经尝试了您所说的建议、并运行了仿真。

仿真仍然不收敛。

我已向您发送更新文件、请进行检查。

请检查 BAIS 点分析快照和瞬态分析快照。

谢谢、

Girish K

尊敬的 James：

晚上好。

我已向您发送了更新的仿真文件。

请检查。

等待您的回复。

非常感谢。

Girish K

Girish、  

谢谢！

今天稍后请允许我查看、我会再给您回复。  

最好

Dimitri

尊敬的 James：

早上好。

感谢您的回答。

当您检查 BAIS 点分析和瞬态分析时、请拍摄屏幕截图并发送给我们。

请检查输出(逆变器输出交流电压)，如果 UCC21750型号、原理图和设置没有问题，请让我检查 pspice 软件以重新安装它。

我们无法知道问题的根本原因、因此请检查。

非常感谢您的回复。

祝你度过美好的一天！

Girish K

Girish、

我正就此展开工作、并将在今晚晚些时候提供最新消息

最好

Dimitri  

Girish、

很抱歉、这似乎是一个迟到的回复、但我一直在努力解决您在使用 UCC21750模型时看到的问题。  

我已经做了大量的仿真、并努力使您的原理图收敛。  

经过一段时间后、我决定直接从 TI.com 上已知工作的 EVM 测试台重新构建"更简单"的原理图、因此我可以排除测试台中的任何内容导致问题。

当 UCC21750模型位于低侧、COM 引脚上有0节点时、似乎没有问题、每次仿真收敛。  

一旦将 UCC21750置于高侧、整个仿真就无法在任何大于100V 的 VBUS 上收敛。 实际上、即使在<=100Vbus 的情况下、我们从高侧的 UCC21750获得的结果也是完全错误的。 该模型吸收100s-kA 的电流、并在模型中的某些内部节点上生成 GV。 这就是为什么在您替换为 UCC21750时半桥配置不起作用的原因。  

其次、如果我们选中"跳过初始偏置点"选项、则会在 HS 和 LS 位置完全断开模型、无论我们是否尝试切换其 RST 引脚、这两个位置都不会有输出。 我最初尝试过这种方法、因为在 t=1e-12~时、UCC21750的仿真甚至没有收敛。  

我使用 ISO5852S 模型进行了相同的仿真、但这两个模型都不会出现问题、这就是您的仿真能够很好地与 ISO5x5x 模型配合使用的原因。  

实际上、如果我们在低侧使用 UCC21750、在高侧使用 ISO5852S 模型、则仿真将完美运行。

一旦我们将 UCC21750置于高侧、无论我们为低侧驱动器提供何种模型、仿真都会以惊人的方式中断。

长故事简短描述：UCC21750模型在高侧使用时工作不正常、但在低侧使用时工作正常。 如果使用此模型的半桥、则仿真不可能收敛、除非我们跳过了偏置点计算、但只有在驱动器没有输出的情况下、仿真才会收敛  

请允许我与我的同事讨论此仿真问题、我的同事曾在明天支持此产品系列。  

如果我们需要修改模型、 可能需要一些时间、我无法提供 完成的确切时间。  

如果您使用的 UCC21750模型对时间敏感、我建议 您采取一种权变措施、将高侧和低侧驱动器的 COM 引脚同时参考到节点0、并仅在高侧次级侧引脚上使用增益为1的 VCVS、并将该 VCVS 参考到高侧源以"隔离它们"。  

否则、如果可能、我建议继续使用 ISO5852S 模型  

我将提供有关这座墓碑的最新信息。  

最好

Dimitri

Girish、与我的同事讨论后、我们确认该模型在高 侧配置中"浮动"/使用时存在问题。  

虽然我将帮助确定此修复的优先级、但我无法保证修复模型何时可用。  

同时、我只能建议一些权变措施解决方案。  

1) 1)暂时只需使用 ISO5852对所有内容进行仿真(无论是否使用升压级、都可实现更高的驱动功率、如 UCC21750中所示)

2) 2)在低侧使用 UCC21750进行仿真、在高侧使用 ISO5852S (带或不带升压器)

3) 3)我认为可以通过使用 VCVS 隔离栅极-源极连接来解决此问题、以便驱动器可以保持与 Node0相连。 我的想法如下、但我没有时间对其进行仿真、因此无法保证结果。 此概念 不能与 DESAT 一起使用、性能会有所不同。  

我现在将关闭此线程、当我们获得 UCC21750的 PSPICE 模型时、我将进行更新。  

最好

Dimitri

尊敬的 James：

早上好。

非常感谢您的回复。

在硬件方面、我们在没有 DESAT 连接(UCC21750)的情况下进行了测试、测试正常。

因此、我们尝试对电路进行仿真、以解决 DESAT 连接问题并捕获电路输出详细信息和瞬态详细信息、从而在硬件方面进行改进。

[引用 userid="439106" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1040581/ucc21750-q1-regarding-ucc21750-clamp-pin-connection-and-desat-connection-details/3862615 #3862615">如果您对 UCC21750模型的使用时间敏感、 我建议 通过将高侧和低侧驱动器的 COM 引脚引用到节点0并仅在高侧的次级侧引脚上使用增益为1的 VCVS 来解决问题、并将 VCVS 引用到高侧源以"隔离它们"。[quoteuserid="439106" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1040581/ucc21750-q1-regarding-ucc21750-clamp-pin-connection-and-desat-connection-details/3863430 #3863430"]我可以考虑通过隔离解决方法 与 VCVS 的栅源连接，以便驱动程序可以保持与 Node0的连接。 我的想法如下、但我没有时间对其进行仿真、因此无法保证结果。 此概念 不能与 DESAT 一起使用、性能会有所不同。  [/报价]

我们可以使用 VCVS 来解决问题、但我们集成 DESAT 的主要目标不会像您所说的那样通过上述概念来实现。

正如您所说、UCC21750仿真模型存在问题、这种行为是否与实际的驱动器 IC 有关？

UCC21750是否有任何用于 DESAT 保护的参考项目？

UCC21750具有200ns 的快速去饱和保护功能、而 ISO5852S 具有2us 的快速去饱和保护功能、那么在硬件级别为 UCC21750设计去饱和保护时、或者在任何相关的参考项目中、是否需要采取任何特殊的预防措施？

请推荐您对 UCC21750DWR IC 的建议和观察结果。

感谢您的回答。

祝你度过美好的一天！

Girish K

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尊敬的 James：

早上好。

非常感谢您的回复和建议。

Girish K

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尊敬的 Dimitri James：

早上好。

如果我有任何疑问、我一定会发布、并感谢您和 您的团队 做出快速回应。

您可以关闭此主题。

谢谢、

Girish K

口径