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[参考译文] UCC24624:电源管理论坛

Guru**** 2337880 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC24624
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1040011/ucc24624-power-management-forum

器件型号:UCC24624

您好!

我们正在设计一个10kW LLC 谐振转换器、其 Vout=150V、Cente 抽头式次级。 我们希望在次级侧使用 UCC24624的同步整流器、以使用600/650V SI/SiC MOSFET 提高系统效率。

以下是我的问题。

UCC24624的最大 Vds 为230V。 如何扩展 UCC24624的 VDS 范围?

SiC MOSFET 的典型栅极电压为15-18V、UCC24624的最大栅极驱动电压为11V。 如何在不损失比例栅极驱动逻辑的情况下扩展栅极驱动电压?

3.如果 UCC24624不可能、请提供其他参考资料/论文。

请分享您的想法。

谢谢、此致、

Raju

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    您好 Raju、

    对于您的问题1、您可以参阅随附的应用手册图10。 UCC24624可以使用相同的方法。

    由于 SIC MOSFET 需要在栅极引脚上具有15-18V 的恒定电压、因此最好在 UCC24624和 SIC MOSFET 之间添加一个 SiC MOSFET 驱动器

    e2e.ti.com/.../ucc24612-extension.pdf。通过这种方式、可编程栅极驱动逻辑损耗、但不会对效率产生很大影响。

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    尊敬的 David:

    感谢您的回复。

    从应用手册中可以看到、输出电压不能超过20V、这是 Qvd 的限制最大栅极电压。 但在我的应用中、最大输出电压约为150V、Vds、max = 300V (由于 Vds 尖峰、Vds 也可能超过300V)。 那么、如何使用 UCC24624来感应 VDS? 我可以使用电阻分压器来感测 VDS 吗?

    2.如果我们通过添加用于驱动 SiC MOSFET 的外部驱动器来失去比例栅极驱动逻辑、这是否更可靠? (如 UCC24624数据表中所述、UCC24624减少了栅极驱动
    当 SR MOSFET 漏源极上的压降大于–35mV (小于
    负、当电流接近零时更接近零)。 在此期间、UCC24624减小了其栅极驱动
    电压范围为11V、接近 SR MOSFET 的阈值电压、并尝试调节 SR MOSFET VDS
    电压为-35mV (V THPGD_LO)。 这为应用带来了两大好处:a)防止 SR 过早
    关断、这会导致与体二极管导通相关的额外损耗 b)自 SR 以来关断延迟更短
    MOSFET 栅极电压已降低至接近 MOSFET 阈值电压电平且 SR MOSFET 可以降低
    关闭、几乎没有延迟。)

    请告诉我您的想法。

    谢谢、此致、

    Raju Baddipadige

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    您好、Raju、

    很抱歉、我的中国同事在国庆节休假。 他们将在下周回来、并对您作出回应。 感谢您的耐心! 如果您在返回之前已经弄清楚了这一点、请告诉我们。

    此致、

    Don

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    您好 Raju、

     我的经验是、为了解决 VGS 过压问题、您可以为此添加电阻分压器。

     对于比例栅极驱动器、如果您为 SiC 使用外部驱动器、通常驱动器具有开启和关闭阈值、因此 UCC2624的脉冲宽度应几乎与您添加的驱动器相同。

    对于 SIC MOSFET,您不能使用低于15V (例如)的电压将其关闭,而使用18V 正常电压将其打开。 始终需要在 SIC MOSFET 上使用恒定电压。

    因此、我不认为比例栅极驱动不应影响 SiC MOSFET 的导通和关断。