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[参考译文] TPS22965:其他问题

Guru**** 2516170 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS22965

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1039981/tps22965-miscellaneous-questions

器件型号:TPS22965

您好!

我的客户对 TPS22965有如下问题。

问题1:
当 ON 从高电平变为低电平时、无论外部组件值如何、在所有 PVT 变化下、Vout 和 Vout 之间的 FET 始终保持关断状态、Vout 和 GND 之间的 FET 是否会导通?

问题2:
他们希望 TI 在以下条件下估算 tr。
VIN=VOUT=VBIAS=3.3V
CL=200uF
RL=10Kohm/100Kohm (虽然在正常运行期间 RL 的电阻小于10 Ω、但在启动时、负载不会消耗如此大的电流。)
CT=1000pF
TA=2oC

问题3:
在其应用程序中、CL 为200uF。
尽管数据表建议 CIN/CL = 10/1、但 CIN =2000uF 太大、无法适应其 PCB 尺寸。
相反、他们希望在 Vout 和 Vin 之间放置一个外部功率二极管、并与体二极管并联以对其进行保护。 TI 对此有什么意见吗?

此致、

希拉诺

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    您好、Hirano-San、

    问题1. Vin 和 Vout 之间的 FET 在 Vout 和接地之间的 FET 在温度、过程和电压范围内导通、以实现 QOD 功能。 内部逻辑不允许两者同时打开。  

    问题2. 您是否需要仿真或基准数据?

    问题3. 建议使用10:1输入到输出电容的主要原因是为了保护电源。 如果您的电源足够强大、能够在不降低电源电压的情况下提供浪涌电流、则可以不遵循10:1建议。

    此致、

    Kalin Burnside

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    Kalin、

    感谢您的回答。
    Q2 Ta=2oC 时是我的拼写错误。 右移 TA=25oC。
    我要说的是仿真。

    此致、

    希拉诺

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    您好、Hirano-San、

    仅供参考-仿真可能需要一个多月的周转时间;但是、如果您认为基准数据还可以、我可以在一周结束时完成。 如果您设置了仿真、请告诉我、我将填写请求。  

    此致、

    Kalin Burnside

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    Kalin、

    工作台测试正常。
    很抱歉、我的仿真比较简单、但我错了。

    此致、

    希拉诺

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    平野-圣、

    没问题。 我将在本周结束之前向您提供基准测试数据。

    此致、

    Kalin Burnside

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    Kalin、

    非常感谢您对此进行的关注。
    我期待着在这个周末获得测试结果。

    此致、

    希拉诺

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    您好、Hirano-San、

    这是我为您收集的时序数据。 此外、还需明确的是:由于 Vbias = 3.3V、上升时间将比数据表表表中的值慢一些。  

    TPS22965 TR Tf TOFF
    10kΩ μ A 2.156毫秒 100.6毫秒 1.995毫秒 17.19毫秒
    100kΩ μ A 2.290毫秒 96.98毫秒 1.993毫秒 16.00毫秒

    如果您有任何问题、请随时联系我们。

    此致、

    Kalin Burnside

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    Kalin、

    非常感谢!

    此致、

    希拉诺