您好!
我的客户对 TPS22965有如下问题。
问题1:
当 ON 从高电平变为低电平时、无论外部组件值如何、在所有 PVT 变化下、Vout 和 Vout 之间的 FET 始终保持关断状态、Vout 和 GND 之间的 FET 是否会导通?
问题2:
他们希望 TI 在以下条件下估算 tr。
VIN=VOUT=VBIAS=3.3V
CL=200uF
RL=10Kohm/100Kohm (虽然在正常运行期间 RL 的电阻小于10 Ω、但在启动时、负载不会消耗如此大的电流。)
CT=1000pF
TA=2oC
问题3:
在其应用程序中、CL 为200uF。
尽管数据表建议 CIN/CL = 10/1、但 CIN =2000uF 太大、无法适应其 PCB 尺寸。
相反、他们希望在 Vout 和 Vin 之间放置一个外部功率二极管、并与体二极管并联以对其进行保护。 TI 对此有什么意见吗?
此致、
希拉诺