主题中讨论的其他器件: LM7480、 LM74800EVM-CD
在 LM7480-Q1数据表的图11-1中、TI 显示了 D2用于防止负瞬变。
问题1.
如果我们有电感负载(例如电机)、我们可以在电力线上具有很高的负极压差、并且需要在理想二极管关断后通过保护二极管至少突降1A。 在这种情况下、大多数肖特基二极管的压降约为500mV。
但在§7.1中、OUT 的额定值至少为–0.3V、这在大多数情况下是不切实际的。
此外、如果使用 IC 支持如图9-2所示的理想二极管、并且我在 Vout 和 GND 之间添加了反向偏置肖特基二极管、则 C 也可以达到–500mV、这再次违反了规范。
您能否根据 IC 的规格调整 TI 使用此保护二极管的建议?
问题2.
我通常尝试按照§7.3中所述的"建议运行条件"进行设计。 但是,这些情况与§7.1中的条件有很大不同,因此上述讨论是没有意义的。 在图9-2所示的理想二极管中、满足这一要求的唯一方法是添加一个与 Vout 串联的二极管、这似乎会使 IC 的整个用途落空!
您能否将我在建议的工作条件下工作的愿望与器件的实用性相协调?

