[参考译文] TPS51200：VO 和 REFOUT 中观察到过冲

Vo_Overshoot

REFOUT_Overshoot

Kalpesh、

您在 REFOUT 引脚上具有什么电容？ 您是否有我可以查看的原理图？ 人们过去通过不在 REFOUT 引脚上使用建议的电容来发现这个问题。

您好 Kadeem、

 我们在 REFOUT 引脚上使用100nF。

我们尝试了1uF 和100uF。

REFOUT 引脚上的过冲在1uF 时降至80mV、在10uF 时降至30mV。 (当 REFOUT 引脚上有10uF 电容时、上升时间增加到250us 左右)

我们已将 AM3352 SoC 与该项目结合使用、该项目需要3.3V 电压至1.5V 电压。

因此、TPS51200在 VIN 和 EN 引脚上也有1.5V 的电压、然后是3.3V 的电压。  

请建议 VIN 和 EN 上的3.3V 延迟是否会导致此问题。

下面是观察到的上升时间和过冲的一些详细信息。

这个216mV 过冲和11uS 的快速上升时间是否会导致 DDR 的基准电压问题？ 请提供建议。

Kalpesh、

要回答您的问题：

我们已将 AM3352 SoC 与该项目结合使用、该项目需要3.3V 电压至1.5V 电压。 因此、TPS51200在 VIN 和 EN 引脚上也有1.5V 的电压、然后是3.3V 的电压。  请建议 VIN 和 EN 上的3.3V 延迟是否会导致此问题。

>我已经看到客户毫无问题地延迟了3.3V 的 EN 电压、但我不能说他们也看到过这种情况。 根据功能方框图、我认为这不会导致问题。

2. 这216mV 过冲和11uS 的快速上升时间是否会给 DDR 的基准电压造成问题？

>我不知道、但我认为我们可以尝试减少过冲、而不是冒险。

VO 启动期间、您在 REFIN/VLDOIN 引脚上看到什么电压？ 如果 VLDOIN 上存在过冲、则 VO 上也会出现过冲。 加电期间、VLDOIN 上存在较大的电流、用于为输出电容器充电。 该电流可能与电流限制(>3A)一样大、从而导致过冲。

可以帮助将电容器 C57从1nF 增加到10uF 或22nF。

您是否能够在这一变化前后获取 VLDOIN、REFIN、REFOUT 和 VO 的波形？

您好 Kadeem、

我们尝试在1.5V 上使用延迟、并使3.3V 更早、以验证行为。 (但是、我们可能无法做到这一点、因为我们在该项目中使用了 AM3352、首先需要1.5V、然后需要3.3V)。  

请参考图像、过冲已消除、干扰已降低。

我们已经验证了 REFIN 引脚、并且未在其上观察到任何过冲。 请参考另外两幅具有白色波形的图像。 (3.3V 直接电压、1.5V 之前的3.3V)。 (1.5表示使能3.3V、1.5V 后为3.3V)。

REFOUT 上可以使用的最大电容值是多少？ 增加 REFOUT 电容器有助于减少过冲。

VREFOUT 上10uF 时、过冲从216mV 降至32mV。  

图1：1.5V 后为3.3V

图像2：1.5V 之前为3.3V

图3： VIN 和 REFIN 上无过冲( 1.5V 后为3.3V)

图4： VIN 和 REFIN 上无过冲(1.5V 之前为3.3V)

您好！

这是否可以在1.5V 电源之后将3.3V 电源延迟到此 IC？ 或者、我们应该专门为 TPS51200放置一些使能控制、并使 其延迟超过3.3V？