您好!
由于我们要对不同的电池使用单板配置(一个组件型号)、因此我们不会尊重 SLVAE87–2019年2月文档中报告的以下建议。
"5.3单个 VC 通道上的总线条:
当汇流条单独连接到 VC 通道时、该通道上的上部 CB 引脚应保持悬空、以避免正向偏置内部 CBFET (请参阅图5-5连接)。 "
下图显示了所需的情况(请根据以下考虑否定橙色电流):

换句话说、我们将安装 RCB 电阻、将上部 CB 引脚连接到汇流条、也连接到母线测量所用的通道中(灰色)。
考虑蓄电池模块放电的情况:绿色电流"蓄电池放电电流"从负极流向正极蓄电池端子、因此在母线两端存在显示为"Vbusbar"的压降。 这个压降使得一个电流(蓝色、名为 I_CBMOS_REVERSE)将流经内部 CB MOSFET。 尤其是通过其体二极管。
- 这是您在 SLVAE87文档中提到的并且必须避免的"内部 CBfet 的正向偏置"吗?
- 这个 I_CBMOS_REVERSE 受到 RCB 电阻(在我们的例子中为2 x 100 Ω)的限制。 根据我们对汇流条(Vbusbar)压降的估计、体二极管上只会有一小段电流(< 50mA)。
- CB MOSFET 的体二极管可以支持的最大电流是多少?
- 如果电流受到限制、会出现一些问题?
- 在外部 MOSFET 的体二极管上使用外部平衡 MOSFET 时、情况似乎也是如此。 由于只有平衡电阻器可限制电流、因此该电流会更高。 从我们的仿真来看、Lowerer 似乎不会破坏外部 MOSFET。 如果我们可以确保外部 CB MOSFET 的安全、那么在将上部 CB 引脚连接到汇流条时是否有任何抵消性指示?
谢谢、
此致
