[参考译文] ISO5852SDWEVM-017：SiC MOSFET

Cedrick、  

这个问题有点开放式、遗憾的是无法给出直接答案。 但是、从技术上讲、ISO5852s 几乎可以与任何生产过的 SiC 模型一起使用、但条件是如此。 对于任何驱动器、都存在一些情况。

在我看来、问题是"我们何时可以使用 ISO5852S 驱动特定的 SiCfet "、而不是"它可以驱动哪一个 SICEFETS "、这取决于系统设计和运行条件。  

例如、如果 ISO5852S 的开关频率较低、或者它以静态方式打开、则具有非常大栅极电荷的非常"大型"IGBT/FET 可与 ISO5852S 搭配使用。 如果它需要快速切换、这就是通常使用 SiC 的原因、那么我们会根据器件热性能等进行限制。  

ISO5852S 可与 SiC 搭配使用、但取决于多种因素、例如开关频率、环境温度等  

基本上、从频率和环境温度来看、我们得到了驱动器可以驱动的 FET/IGBT 栅极电荷的"上限"。

不可能列出驱动程序可以使用的每个 SiCFET。 相反、我们可以就如何操作向客户提供建议  

1) 1)他们的功率水平是多少/他们需要驱动器维持多少电流？

2) 2)满足此功率/电流规格的 SiC FET 的栅极电荷是多少？

3) 估算驱动器结温 (数据表中显示了这种方法)。 这几乎与频率乘以栅极电荷成正比、因此我们可以看到这两个因素是超强的。  

4) 4) ISO5852S 具有比其他驱动器更低的驱动电流、因此它无法像 UCC217xx 等具有10A 峰值驱动电流的器件那样硬开关栅极。  

5) 5)从第4点开始、较低的驱动电流限制了 FET 导通的速度。 较慢的导通时间会导致较高的开关损耗。 在某些情况下、使用低功耗驱动器可能会限制系统效率。 这也取决于它们的应用/用例。 如果导通时间可接受、则为 ISO5852S

此外、我们能否告诉客户、我们有适用于 TI 的 PSPICE 和一个可随时使用某些 SiCfet 模型对其进行测试的预构建测试台？ 我认为这可能有助于他们开始使用不同模块来验证器件的实际质量。  

如果他们查看的是 ISO5852S、也可以考虑 UCC217xx 系列。  

请与他们分享我们在这两个相关系列之间的比较表：

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1011093/faq-ucc21710-what-are-the-differences-between-ucc217xx-and-iso5x5x/3736299?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=difference%20ucc217xx#3736299

请告诉我这是否有帮助。 如有任何其他问题、请告诉我

最好

Dimitri

ISO5852s EVM 未专门针对 SiC 进行评估、可能需要进行调整。 最好的选择是使用采用到 xx7封装的分立式 SiC FET、但同样、栅极电阻器和 DESAT 电路可能需要针对开关进行调整。  

我不能在这里给出一个最好的特定器件型号、我的建议是查看 Wolfspeed 分立式 FET 选项、因为将此板调整为与半桥模块配合使用可能会很麻烦。  

最好

Dimitri