[参考译文] BQ76942：REG1无行为

您好 Richard、

我不认为您的器件处于深度睡眠模式。 如果器件处于深度睡眠模式、则该控制状态寄存器将以红色显示(深度睡眠= 1)。

您是否在"Data Memory"屏幕上更改 REG12 Config 寄存器？ 您能否在"Data Memory"屏幕上显示寄存器读数的屏幕截图？

谢谢、

Matt

您好、Matt、

下面是 REG12配置的"Data Memory"屏幕：

希望这是可读的。

谢谢、

Richard

谢谢 Richard。 您能否共享完整的 BQStudio 窗口？ 我只想确认 BQStudio 版本、EV2400固件版本等

您的寄存器设置对于将 REG1设置为3.3V 看起来是正确的、因此其他问题必须是错误的。

Matt

下面是全屏捕获：

谢谢 Richard。 您可能需要将 BQStudio 更新到最新版本。 我认为该器件系列的最新 bqz 文件直到 v1.3.102才添加。 或者、您只需复制这些附加到 C：\ti\BatteryManagementStudio\config\目录中的文件、然后从目录中删除旧版本。 您能否尝试一下、让我知道这是否有用？ (重新启动 BQStudio 并重置 IC、以查看是否可以更改 REG1电压)。

e2e.ti.com/.../Monitor_5F00_7694_5F00_0_5F00_36_2D00_bq76942.bqze2e.ti.com/.../2728.Monitor_5F00_7695_5F00_0_5F00_36_2D00_bq76952.bqz

您好、Matt、

它似乎没有帮助。  REG1仍然= 5.63V。 以下是我按照您的建议替换文件后的寄存器视图：

这是否有帮助？

谢谢、

Richard

您好 Richard、

谢谢、这可确认您正在与器件正确通信。 您无法更改 REG1、这真的很奇怪。 您是否能够打开 REG2并设置电压？ 这是在 EVM 上还是在不同的硬件上？

谢谢、

Matt

您好、Matt、

我继续下载 BQStudio-Test 版本、看起来它正在正确读取 REG 寄存器。  我可以打开 REG2、电压= 3.4V。  REG1仍然= 5.63V、这对我来说是毫无意义的。  它必须是我的板中的某个东西。  我的板不是 EVM、而是我们设计的 EVM。

您能查看我们的原理图吗？  它可以是我连接到 I2C 线路的上拉电阻吗？ SPI 线路是否需要上拉电阻？ 我在任何 BQ76942页面上都找不到良好的 SPI 示例。

e2e.ti.com/.../BQ7694204_5F00_BMS_5F00_schematic.pdf

再次感谢、

Richard

我认为 SPI 的上拉电阻器应该被移除、因为它们不是必需的。 不过，我不知道这会如何导致你观察到的情况。 来自 MCU 的 SPI 信号可能会将 REG1拉至更高的电压？  

或者、您是否可以测量 Regin 引脚？ 该电压应约为5.5V

您好 Richard、

EVM 用户指南提供了与板载 MCU 的 SPI 连接。 您可以将其用作参考。  

我确实注意到了原理图接地中的一些内容。 在我们的参考原理图中、电池负极连接到 GND、而感应电阻器的另一侧连接到 PACK-。 SPI 使用 PACK-作为其接地基准。 但在原理图上、您将 GND 连接到感应电阻器的 PACK-侧。 我不确定这是否会导致问题。 我还注意到以下几点：

- VC1输入电容(C1)应连接至 GND 而不是 VC0。 VC0还应该有一个连接到 GND 的电容器。

- VC10的电池输入电阻缺失

在您提到的另一篇文章中、REG1关闭时出现问题、但我想您发现它可能与 R38值有关？ 如果是这种情况、则在 IC 损坏时更换 IC 也可能是不错的选择。

Matt

您好、Matt、

感谢您抓住我的错误。  我知道我需要在 VC0至 GND 之间添加一个电容器、但如果我将 C1更改为连接至 GND、R17会发生什么情况？  它应该只连接到 VC0吗？

我是否仍然需要 C15和 C16？

我将构建另一个板并尝试修复 GND 问题。  这可能会对事情有所帮助。  对于此电路板、除非我将 TS1设置为使用180K 上拉和180K 温度模型、否则我无法使其工作。  这是一个10K 欧姆 NTC 热敏电阻、因此它应使用10K 设置。  当我将其设置为-273度 C 时、 它适用于180K 设置。 我简直无法休息。

谢谢、

Richard

您好 Richard、

R17应连接到 VC0。 TI 参考设计可能会对您有所帮助、网址为 ：https://www.ti.com/lit/df/tidm788/tidm788.pdf

您不需要 C15和 C16。

如果您使用10K NTC、TS1应使用18k 温度模型。 产品文件夹中有一个电子表格、用于计算特定热敏电阻的温度系数。 但是、如果您读取的是-273 C、这似乎表示您的热敏电阻短路。

Matt

您好、Matt、

热敏电阻。  我不认为它是短路的、因为如果我使用180K 设置、它可以正常工作。  它显示了大约24摄氏度的180K 设置、但如果我切换到18K 设置、则显示为-273。  TS3热敏电阻也会发生同样的情况。 它适用于180K 而不是18K 设置。  奇怪。  看起来希望读取-273、因为它们是 NTC、所以必须打开。  也许我在这个芯片上坏了一些东西、所以我将构建另一个芯片、让我们看看会发生什么。

谢谢、

Richard

您好、Matt、

我已经构建了另一个电路板、看起来它的工作效果可能会更好。  我仍然遇到一些热敏电阻问题。 TS1设置为 FET 温度保护。 以下是设置：

TS3设置为测量电池温度：

但主屏幕显示错误、FET 温度仍为-273C：

警报启用高压线路上会显示警报、但上面的任何线路中都不会显示警报。  是否有可保持放电关闭的东西？  我无法使其以0.5A 的电流放电。  它是否与-273C FET 温度相关？

谢谢、

Richard

您好 Richard、

我很高兴此板能更好地工作。 希望这意味着您的 REG1按预期工作？

我认为您的 TS1引脚配置和 TS3引脚配置设置不正确。 这是因为您可能会混合 PIN_FXN 位和 OPT 位。 它应该如下所示：

对于 FET 温度、TS1 Config = 0x0F  

电池温度的 TS3 Config = 0x07

FET 状态似乎是不相关的。 "Registers"屏幕显示 DSG FET 已启用、因此 DSG 引脚应在电路板上驱动高电平。 由于器件处于睡眠模式、CHG FET 被禁用。 如果您要启用 CHG FET、那么可以在"Commands"窗口中单击"LEEP_DISABLE"命令、也可以在 FET 选项寄存器中将 SLEEPCHG 位设置为"1"。

此致、

Matt

您好、Matt、

很抱歉给我带来了痛苦、但我如何让芯片"正常"运行？ 由于警报启用高电平(0xF800)设置了多个标志、因此看起来存在永久性错误。  是否有办法清除它们或防止这种情况发生？

再次感谢、

Richard

您好 Richard、

警报启用只是您想要在警报引脚上显示的事件的设置。 该寄存器未指示出任何错误。 您的警报状态寄存器(以及您的安全状态、安全警报、PF 状态、PF 警报寄存器)不会显示触发任何保护。

Matt

您好、Matt、

感谢您使用警报启用标志将我设置为直线。  我真的开始担心。

如何使其放电？  我是在 PACK+上施加负载还是需要手动设置 DSGTEST 标志？

再次感谢、

Richard

根据您的寄存器读数、您的 DSG FET 看起来应该被启用。 如果您在 PACK+/ PACK-上施加负载、您应该能够看到放电电流。 您的 DSG 引脚是否处于高电平(等于 CP 引脚电压)？  

Matt、

DSG 电压仅为1.23V。 如果我将 DSGTEST 位设置为高电平、我会使芯片以0.35A 的电流放电、这对于负载电阻而言是合适的。  当我设置 DSGTEST 位时、DSG 电压为33.23V。

如果我复位 DSGTEST 位、电流将降至零。  电池组电压为23V。

这是否有帮助？

谢谢、

Richard

您好 Richard、

您似乎没有启用 FET、因此您处于 FET 测试模式。 如果您发送 FET_ENABLE()命令，它将切换状态寄存器中的 FET_EN 位。 然后、DSG FET 将自动开启、除非触发保护。

如果 FET_EN = 0、则您处于 FET 测试模式、因此 FET 测试命令将切换 FET。 但是、这仅适用于测试硬件、而不适用于应用中的正常运行。

此致、

Matt