[参考译文] TPS548A20：VREG 上升波形

VREG LDO 基于需要高于输出的栅极电压的 N 通道 MOSFET 导通元件。 为了生成此内部栅极电压、TPS548A20包含一个内部电荷泵、该电荷泵在 VREG 大约为3V 时启用。 当电荷泵被启用时、N 通道 MOSFET 被完全增强、并且 LDO 的输出以低压降跟踪 VIN、直到它达到其稳定电压。

感谢您的回复。我希望您能告诉我更多信息。

它是一个与上述 IC 不同的上升波形。

VREG 的上升被延迟。 您能想到什么？

当构成电荷泵的电容器被 EOS 破坏/泄漏时。 是否存在这种行为？

黄色：VIN

绿色：VREG

延迟量看起来非常长。 您能否分享原理图和/或告诉我您在 VREG 上具有多少电容/负载？

请参阅电路图。

原理图看起来不错。 是否有多个器件显示此行为或仅显示此器件？

为了供您参考、我使用我们的 EVM 捕获了 VREG 波形的外观：

2已发生100 000起案件。

交易公司分析结果为 EOS。

但是、我不明白为什么会出现这种情况。

我执行了换用、并且 IC 中存在原因。

感谢您的确认。 请告诉我交易公司在哪个引脚上确定 EOS 损坏？  

由于 GND-19引脚和19-20引脚曲线示踪剂的异常特性、因此判定为 EOS。