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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1030802/bq25703a-could-you-kindly-tell-me-mosfet-s-turn-off-delay-time-and-fall-time-requirement-in-bq25703a-design
大家好、支持团队
我的客户有以下问题：
我选择的是 BQ25703A 的 MOSFET。 我在数据表中提到了9.2.2.5功率 MOSFET 选择。 但没有关于 MOSFET 关断延迟时间和下降时间的信息。 您能告诉我 BQ25703A 设计中 MOSFET 的关断延迟时间和下降时间要求吗？
非常感谢。
此致、 Yuki
我选择的 MOSFET 在评估模块板 BOM 中的关断延迟时间和下降时间远大于 MOSFET、
那么、我想确认是否存在限制？
您好、Liu、 感谢您的联系。 BQ25703A 是一款具有栅极驱动器的控制器。 您可以将 MOSFET 的栅极视为电容器。 栅极驱动 器将拉电流为 MOSFET 栅极充电、以导通 MOSFET。 据我所知、MOSFET 数据表上的导通和关断延迟时间非常依赖于设置。 通常、对于 MOSFET 的选择、我们查看 Qg (总栅极电荷)、因为这决定了栅极驱动器需要提供的开启栅极的电流量。 Qg 越高、导通和关断时间就越长。 更长的导通和关断时间通常会导致更多的开关损耗。 必须在工作台上验证实际性能。 谢谢、我希望这对您有所帮助、 Peng *如果我的答案 令人满意，请在主题中按“此已解决的我的问题”
