[参考译文] BQ25306：2S3P 充电器

您好、Kedar、 R17和 C12不适合缓冲器。  R17是在未连接充电器时使充电器保持低阻抗状态。  C12更适用于输入滤波。  我将尝试按照您的建议使用陶瓷电容器连接 PMID、并在我们运行某个周期测试后更新结果。

您好！

  看起来也有一些无源组件损坏。 您能告诉我外部组件损坏了吗？

您好 Kedar、电感器(L3)和升压电容器(C17)看起来不错、但 BQ25306 (U3)已完全烧坏。  电感器与 U3引脚13和14 (SW)之间的走线过度加热并烧坏了铜和 FR4材料。  我怀疑 U3内部 NFET (Q3)短路、导致从电池组到接地的高电流。  我们使用相同的烧坏迹线故障运行到两个不同的电路板中。  另一个电路板似乎存在相同的问题、但 NFET 开路、不提供接地、无法完成充电。  状态 LED 始终显示为红色(正在充电)。  

您好！

  由于这是一个集成 FET、因此很难损坏内部 FET、并且在正常充电器运行时没有击穿风险。 如果布局短路、则每当 HSFET (Q2)打开开关时、都会损坏该 FET、绕过 Q3 FET 导致击穿。 您是否在 EVM 上测试了配置？

您好！

这些电路板在烧毁之前至少工作了几天(充电和放电周期)、因此 PCB 布局设计没有网络或电气短路。  我尚未使用 TI EVM 进行过测试。

您好！

 有趣的是、电路板最初是在工作的。 在我们的评估中、重复充电和放电测试没有问题。 您能否测试 EVM 上的充电和放电设置？

您好 Kedar、

我将尝试握住 EVM 板并重新测试它。  我们的充电/放电基本上使用稳压开关电源12VDC @ 2A 为电池组充电。  我们等待状态 LED 变为绿色、完全充电、然后移除电源。  要进行放电、我们会打开器件、直到电池组内的 BMS 切断并重复相同的充电/放电周期。  我将向您更新一个、我将获得一个 EVM。

谢谢

您好！

  您是通过 PMID 上的外部负载放电、还是直接从电池放电？

直接从2S3P 电池组放电。

大家好、Kedar、正如我提到过的、我有一个板没有充电、我希望 NFET 驱动器打开、导致它不充电。  如果此板有用、我非常乐意将其发送给您。

Kedar、您好、这里是良好装置的 SW 输出引脚13和14上的波形。

您好 Kendar、

这里是 BQ25306的2张图片。  REVJ 是我们遇到问题的原型、EVM 是 TI 评估板。  您能否查看 REVJ 器件型号是否为正版 TI 器件型号？

谢谢

 REVJ

 TI EVM

您好！

  NFET 驱动器处于开路状态意味着什么？ 这是一个具有集成驱动器和 FET 的集成 IC。

  SW 节点波形看起来与正常运行时的预期值类似。

  根据您对电池放电的描述、您似乎不是通过 IC 本身放电大电流、而是从电池放电。 由于您的充电电流处于正常工作条件下、我不知道如何损坏 IC、因为此器件经过全面的内部验证。

  尽管 EVM 上的 IC 具有 P 标记、但它与 B 标记相同。 在对 EVM 进行充电和放电时、您是否看到任何损坏？

 您的电路板的故障率是多少？ 您提到他们工作了几天、然后损坏发生了吗？

您好 Kedar、

 我所指的 NFET 为 Q3。  如果此 SW 驱动器由于热或有缺陷的器件而对地短路、则这可能是来自电池的高电流路径、并导致其过热并将 FR4材料上的走线烧断。

2 、SW 波形来自良好的电路板、我已经充电/放电了一周以上、没有任何问题。

电池 组的充电电流为1.7安。

4. 我刚刚收到一个 EVM、我们将执行充电/放电。  我会随时向您发布。  我知道 TI EVM 具有正版 IC、我担心我们的 REVJ 原型板中的 IC 是否基于器件型号和生产日期代码或镂空而是正版 IC。  我知道、由于全球半导体短缺、此 IC 不可用、我们不知道该器件的来源。  这些电路板上的所有组件都是在中国购买和制造的。

我们 处于评估和设计验证原型阶段、到目前为止、我们已经看到2块烧坏的电路板和1块未充电。  下面是来自未充电电路板的 SW 波形。

谢谢

您好 Kedar、

在未充电的设备上、我解决了这个问题。  问题是直列式保险丝熔断。  充电器工作正常。

这是具有烧坏 IC 的2号电路板。  清洁电路板后、SW 与电感器之间的铜会完全烧坏。  请注意、IC 的 SW 和升压引脚已完全消失、IC 外壳的顶部区域已熔化。  希望这有助于确定故障原因。

谢谢

您好！

  如果电路板已经工作了一段时间、然后突然停止工作、则很难隔离正在发生的问题。 电路板上的某个位置很可能发生 BTST 到 GND 短路、从而造成损坏。 由于充电器 IC 具有内部保护功能、因此将 SW 短接至 GND 不会造成损坏、方法是感应 HSFET 上的电感器电流并关闭 HSFET。 数据表中有一个称为 IHSFET_OCP 的规格。 数据表的第9.3.4.1.4节逐周期电流限制详细说明了这种保护。 类似地、BTST 到 PMID 短路会导致 HSFET 从不导通。

您能否尝试在更多电路板上进行测试、看看这是否是重复出现的故障？ 您还能评论一下 EVM 在您的测试中是否已损坏？

我们将继续使用 TI EVM 测试更多电路板。  我会随时向您发布测试结果。

此致