Other Parts Discussed in Thread: CSD17318Q2
非常感谢你的帮助。
我正在考虑使用 CSD17318Q2并对 FET 的基本用途有疑问。
我计划在2.5V 时使用 VGS。
当我检查栅极电荷图时、我发现米勒平坦区的 VGS 约为1.8V、因此我认为2.5V 足以驱动它。
米勒平坦区的 VGS 是否会根据温度、漏极电流等而上下波动?
非常感谢您的合作。

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我正在考虑使用 CSD17318Q2并对 FET 的基本用途有疑问。
我计划在2.5V 时使用 VGS。
当我检查栅极电荷图时、我发现米勒平坦区的 VGS 约为1.8V、因此我认为2.5V 足以驱动它。
米勒平坦区的 VGS 是否会根据温度、漏极电流等而上下波动?
非常感谢您的合作。

您好、Taro-San、
感谢您关注 TI FET。 您应该可以在 VGS = 2.5V 的情况下驱动 CSD17318Q2。 您应始终提供一个栅极驱动电压>= VGS 的最小值、其中数据表中指定了导通电阻。 CSD17318Q2导通电阻的额定电压低至最低 VGS = 2.5V。 TI 未在生产中对米勒平坦区进行规格或测试。 数据仅在产品开发期间收集。 器件间和批次间会有一些差异、但只要您提供上述足够的栅极驱动电压、这对您的应用的影响就会最小。
此致、
John Wallace
TI FET 应用