[参考译文] LM5116：MOS 发热问题

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：LM5116

您好，团队

我的客户在其项目中使用 LM5116MHZ。输入电压：48V、输出电压：12V、同轴电缆：15A。外部 MOS 被选为 FDMS86540。

当器件在℃负载为60W (12V、5A)时、测试发现芯片和外部 MOSFET 过热。

使用红外温度计、下图显示深蓝色菱形是一个101.2度的 MOSFET、浅蓝色方形是 LM5116、也是83.9度。

这是客户已经通过 PCBA 底部的导热硅树脂块传热到机箱外壳的测试结果、

否则、温度将增加约10度、接近 MOSFET 的限制温度裕度、因此无法通过55度高温测试。

下面是原理图和 MOSFET 数据表。

您能否帮助检查电路设计是否存在问题、或者您是否有一些改进问题的建议？

原理图

MOSFET 数据表

谢谢你。

此致、

Ivy

0 admin 4 年多前

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你(们)好、Ivy

感谢您联系并分享信息。

在大多数情况下、10 Ω 栅极电阻器会导致开关速度缓慢、增加 MOSFET 的开关损耗并降低效率。请考虑减小栅极电阻器值、并尝试 0 - 5欧姆栅极电阻器

谢谢。

- Eric Lee (应用工程)

0 admin 4 年多前

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Ivy、

除了 Eric 提到的内容、请注意、该 FET 的 Qg 非常高。对于高侧 FET、48V 至12V 转换不需要低 Rdson /高 Qg、因为占空比仅为25%。

此致、

Tim

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